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J-GLOBAL ID:202102237782460638   整理番号:21A0089716

1.5μmウエハ融合垂直共振器面発光レーザにおける可飽和吸収体の効果【JST・京大機械翻訳】

Effect of saturable absorber in 1.5 μm wafer-fused vertical cavity surface-emitting lasers
著者 (17件):
資料名:
巻: 1697  号:ページ: 012167 (6pp)  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5565A  ISSN: 1742-6588  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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薄いn++-InGaAs/p++-InAlGaAsトンネル接合(TJ)を持つ1.5μmウエハー融合VCSELの静的特性を調べた。埋込みトンネル接合(BTJ)の8μm直径のデバイスは,効果的な単一モードレーザ発振を示した。BTJ直径7μm以下のデバイスでは,出力光パワーの急激な変化を伴う閾値電流の急激な増加を観測した。観測された挙動は,活性領域の非励起(受動)部分と光学モードの重なりの増加により説明でき,これは付加的な光吸収をもたらす。一方では,高次横モードが,活性領域の非励起部分とのより大きな重なりにより,より高い光損失を持つので,基本モードによるレーザ発振は,BTJ領域の大きなサイズでさえ,より好ましい。他方,BTJ領域とBTJ外の領域(小さなTJエッチング深さによる原因)とTJ再成長後の表面レリーフの高さの差の横方向平滑化の間の有効指数ステップの減少は,横光閉じ込め因子の著しい低下と吸収の上昇をもたらした。さらに,吸収効果は,利得対キャビティ離調の減少によるヒートシンク温度の増加により強く増強される。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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半導体レーザ 

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