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J-GLOBAL ID：202102237947049888   整理番号：21A3412892

相変化ニューロンシナプスデバイスのためのBiSb-Ge_2Sb_2Te_5材料における超低抵抗ドリフトに対する構造特性の解明【JST・京大機械翻訳】

Unveiling structural characteristics for ultralow resistance drift in BiSb-Ge₂Sb₂Te₅ materials for phase-change neuron synaptic devices

著者 (10件)： Chen Chen (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Chen Chen (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Zhu Jinyi (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Zhu Jinyi (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Chen Yingqi (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Chen Yingqi (Engineering Research Center for Advanced Infrared Photoelectric Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Wang Guoxiang (Laboratory of Infrared Materials and Devices, The Research Institute of Advanced Technologies, Ningbo University, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Wang Guoxiang (Key Laboratory of Photoelectric Detection Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Wang Guoxiang (Engineering Research Center for Advanced Infrared Photoelectric Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China) ,  Wang Guoxiang (International Science & Technology Cooperation Base of Infrared Materials and Devices of Zhejiang Province, Ningbo, Zhejiang 315211, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 892  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 相変化材料は,メモリ内コンピューティングまたは計算メモリの必要性を満たす主要な候補である。Ge_2Sb_2Te_5(GST)は,それらの中で代表的な材料であるが,GSTにおける非晶質抵抗ドリフトは,その環化可能な安定性を制限する。ここでは,BiSb相を導入することによって,GST材料の特性と微細構造を最適化した。結果は,GSTの非晶質抵抗がBiSbの添加後に減少し,ドリフト係数が非晶質状態の無秩序減少のため0.004に減少できることを示した。微細構造特性のさらなる分析は,Bi-Sb相の分布がSb/Te元素の拡散を抑制し,GST相中のボイドの形成を抑制することを明らかにした。これらの特徴は,二重相共存のため,ナノ構造を安定化し,ある程度抵抗ドリフトを抑制する。さらに,GST化合物の伝導は,n型BiSb析出に由来するp型からn型に変化した。特に,抵抗ドリフトは液体窒素処理によってさらに減少し,これは小さな体積での原子移動度を制限し,電子結合エネルギーを変化させ,構造緩和中の非晶質相の安定性を改善する。抵抗ドリフトの減少は,GSTの0.65eVから(BiSb)_5.1(GST)_94.9の0.33eVへのバンドギャップの狭小化に起因した。したがって,本研究は,BiSbによるGSTのドーピングが,相変化ニューロンシナプスデバイスにおける超低抵抗シフトを得るための効果的な手段の1つであることを示す。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 記憶装置 ,  結合エネルギー ,  最適化 ,  *相転移 ,  *アンチモン ,  *テルル ,  *ドリフト ,  非晶質 ,  ドーピング ,  環化反応 ,  熱特性 ,  *構造特性 ,  ナノ構造 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 相変化材料 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： フィルム ,  X線法 ,  熱特性 ,  機能性応用

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  半導体集積回路  (NC03162T)

タイトルに関連する用語 (4件)： 相変化 ,  低抵抗 ,  ドリフト ,  構造特性