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J-GLOBAL ID：202102238114523930   整理番号：21A3314634

多重量子井戸GaAs/InGaAs p-i-nフォトダイオードにおけるキャリアポピュレーションとビルトインポテンシャルアラインメントの回復【JST・京大機械翻訳】

Retrieve the carrier population and built-in potential alignment in multi-quantum-well GaAs/InGaAs p-i-n photodiode

著者 (14件)： Li Yuying (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, China) ,  Li Yuying (University of Chinese Academy of Sciences, No.19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Zhang Shuaijun (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, China) ,  Zhang Shuaijun (School of Materials Science and Engineering, University of Shanghai for Science and Technology, Shanghai 200093, China) ,  Xia Hui (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, China) ,  Xia Hui (University of Chinese Academy of Sciences, No.19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Chen Hong (University of Chinese Academy of Sciences, No.19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Chen Hong (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Wang Wenxin (University of Chinese Academy of Sciences, No.19A Yuquan Road, Beijing 100049, China) ,  Wang Wenxin (Key Laboratory for Renewable Energy, Beijing Key Laboratory for New Energy Materials and Devices, Beijing National Laboratory for Condensed Matter Physics, Institute of Physics, Chinese Academy of Sciences, Beijing 100190, China) ,  Li Juzhu (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, China) ,  Li Juzhu (Mathematics and Science College, Shanghai Normal University, Shanghai 200234, China) ,  Li Tianxin (State Key Laboratory for Infrared Physics, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, 500 YuTian Road, Shanghai 200083, China) ,  Li Tianxin (University of Chinese Academy of Sciences, No.19A Yuquan Road, Beijing 100049, China)
資料名： Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures  (Physica E: Low-Dimensional Systems and Nanostructures)
巻： 135  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： W1066A  ISSN： 1386-9477  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子井戸(QW)は,光検出と太陽エネルギー変換のためのカットオフ波長を拡張するために,pn接合で広く採用され,その中で,ビルトイン電場は,QWから光キャリアを抽出する際に重要な役割を果たすが,バックグラウンドドーピングのような実際の因子によって必然的に影響を受ける。ここでは,GaAs/InGaAs多重量子井戸p-i-nフォトダイオードにおけるキャリア分布と電位整列を,走査キャパシタンス顕微鏡(SCM)とKelvinプローブ力顕微鏡(KPFM)により調べた。5つのQWの3つが,数値シミュレーションに従って最大7×1016cm-3までの母集団密度を有する電子によって注入された。意図的にドーピング濃度は吸収領域で5×1015cm-3と推定され,これは予想から355nmの狭い空間電荷領域をもたらし,これはKPFM測定によって良く証明された。それにもかかわらず,ビルトイン電位の変化は,適度な強度で照明下のフォトダイオードのかなり高い開放電圧に対応する0.577Vに達することができた。本研究は,高効率光電変換のためのp-i-nマルチ量子井戸構造への直接的な洞察を提供する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *アラインメント ,  電位 ,  *フォトダイオード ,  *ヒ化ガリウム ,  波長 ,  ドーピング ,  静電容量 ,  空乏層 ,  *量子井戸 ,  *ヒ化ガリウムインジウム ,  *多重量子井戸
準シソーラス用語： 内部電場 ,  数値シミュレーション ,  開回路電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： 多重量子井戸 ,  キャリア集団 ,  ビルトイン電場分布 ,  バックグラウンドドーピング ,  走査型容量顕微鏡法 ,  Kelvinプローブ力顕微鏡

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 多重量子井戸 ,  GaAs ,  InGaAs ,  フォトダイオード ,  キャリア ,  回復