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J-GLOBAL ID：202102238565349142   整理番号：21A0241452

Alドーピングによる熱蒸発を用いて作製したMg_2Si膜の研究【JST・京大機械翻訳】

Research on Mg₂Si films prepared using thermal evaporation with Al doping

著者 (6件)： Yu H. (Guizhou Education Univ. (China)) ,  Zheng L. (Guizhou Education Univ. (China)) ,  Ji S. T. (Guizhou Education Univ. (China)) ,  Li S. X. (Guizhou Education Univ. (China)) ,  Gao C. G. (Guizhou Education Univ. (China)) ,  Wu X. P. (Guizhou Education Univ. (China))
資料名： Proceedings of SPIE  (Proceedings of SPIE)
巻： 11606  ページ： 1160618-6  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0943A  ISSN： 0277-786X  CODEN： PSISDG  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 熱蒸発を用いてSi基板上にAlドープMg_2Si膜を作製した。AlドーピングによるMg_2Si膜の構造,形態,Ramanスペクトルおよび電気抵抗率の影響を,X線回折(XRD),電界放出走査電子顕微鏡(FESEM),4点プローブ(FPP),Raman分光法および表面プロファイラを用いて調べた。XRDの結果は,Alがドーピングされた後に,Mg_2Si回折ピークの強度が強化され,粒径が大きくなることを示した。FESEMの結果は,Alがドープされた後,Mg_2Si結晶粒がクラスタに凝集し,薄膜の内部構造が高密度であることを示した。Ramanの結果は,Alをドープ後,256cm-1付近のRaman特性ピークで赤方偏移が起こったことを示した。FPPの結果は,Mg_2Si薄膜の電気抵抗率がAlドーピング後に減少することを示した。COPYRIGHT SPIE. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： Ramanスペクトル ,  X線回折 ,  回折 ,  *蒸発 ,  赤方偏移 ,  電気抵抗率 ,  薄膜 ,  プローブ ,  *アルミニウム ,  粒径 ,  *ドーピング ,  クラスタ ,  Raman分光法
準シソーラス用語： 電界放出型走査電子顕微鏡 ,  シリコンウエハ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  太陽電池  (NC03084O) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： Al ,  ドーピング ,  蒸発 ,  作製 ,  研究