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J-GLOBAL ID：202102239798426966   整理番号：21A1774792

多孔質シリコンフォトニック結晶上のSiO_2からの増強コヒーレント熱放射【JST・京大機械翻訳】

Enhanced Coherent Thermal Emission From SiO2 on a Porous Silicon Photonic Crystal

著者 (3件)： Juneau-Fecteau Alexandre (Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada) ,  Belarouci Ali (Ecole Centrale de Lyon, Ecully Cedex, France) ,  Frechette Luc G. (Universite de Sherbrooke, Sherbrooke, QC, Canada)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： HT2017  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 非晶質SiO_2薄膜からのコヒーレント熱放射がフォトニック結晶(PC)の頂部に置くことにより著しく増強されることを示した。この原理を実証するために,散乱行列法と有限差分数値計算を用いて,20層PC上のSiO_2の1ミクロン厚層の反射率と透過率をシミュレーションした。Kirchhoffの法則を用いて計算した放射率は,SiO_2中のバルクフォノン-ポラリトンモードとPCの禁止帯との重なりにより10ミクロン付近のピーク波長で1に達した。電磁スペクトルのこの領域は,室温の黒体からの最大熱放出に対応するため,多くの技術的応用に対して特に興味深い。これらの理論的予測を検証するために,PSi多層を,異なる屈折率の2つの異なる多孔性の交互層を生成する時間の関数として,電流密度変調のHF中でのp型Siの電気化学的溶解により作製した。SiO_2の1ミクロン厚層を,プラズマ増強化学蒸着(PECVD)により,得られたPCの上に堆積させた。PCの反射率を,SiO_2堆積の前後でFourier変換赤外分光法(FTIR)を用いて垂直入射で測定し,シミュレーションと一致した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 屈折率 ,  *コヒーレンス ,  数値計算 ,  *熱放射 ,  薄膜 ,  反射率 ,  溶解 ,  スペクトル ,  電流密度 ,  電気化学 ,  透過率 ,  プラズマCVD ,  バンドギャップ ,  FTIR分光法 ,  *フォトニック結晶

分類 (3件)： 光物性一般  (BM08010A) ,  電磁気学一般  (BD01020N) ,  放射伝達,放射変調  (BD03080P)

タイトルに関連する用語 (5件)： 多孔質シリコン ,  フォトニック結晶 ,  増強 ,  コヒーレント ,  熱放射