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J-GLOBAL ID：202102239939757528   整理番号：21A0313006

ZnドープMoS2の立体配置,電子構造及び電気触媒水素発生性能の理論的研究【JST・京大機械翻訳】

The Theoretical Study on the Configurations, Electronic Structures and Electrocatalytic Hydrogen Evolution of Zn-Doped MoS2

著者 (3件)： Zhang Hongge (江西師范大学化学化工学院,江西南昌330022) ,  Zhu Jia (江西師范大学化学化工学院,江西南昌330022) ,  Zhang Yongfan (福州大学化学学院,福建福州350116)
資料名： Jiangxi Shifan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban)  (Jiangxi Shifan Daxue Xuebao (Ziran Kexue Ban))
巻： 44  号： 4  ページ： 417-423  発行年： 2020年 
JST資料番号： C3228A  ISSN： 1000-5862  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 密度汎関数理論(DFT)法を用いて,二硫化モリブデン(MoS2)の完全表面と,異なるドーピング濃度における遷移金属Zn原子をドープしたMoS2表面(Zn-MoS2)の立体配置,電子構造,および電気触媒水素発生性能を研究した。その結果,MoS2の完全表面と比較して,Znドープ単層MoS2の水素吸着ギブス自由エネルギー(-0.09eV)は明らかに減少し,理想値(約0eV)に近く,優れた水素発生触媒反応性能を示すことが分かった。電子構造研究の結果、ZnがMoS2表面をドーピングすると、系のFermi準位付近にZn-3d軌道のバンドギャップ状態が現れ、これはMoS2触媒材料の電子構造を有効に制御することが明らかになった。Fermi準位の近くに、Zn原子に隣接するS原子の3p軌道の新たな電子状態が現れ、S-3p軌道とH-1s軌道の重なりを有効に増強でき、それによって吸着水素の性能を高め、電気触媒水素発生性能を最適化することができる。さらに,Zn-MoS2系に対するZnドーピング濃度の改善は,Znドーピング濃度を上げると,優れた電気触媒水素発生反応性能を維持することができた。異なるZnドーピング濃度を導入することにより、MoS2電気触媒の電子構造を制御し、電気触媒水素発生反応性能を有効に向上させた。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 最適化 ,  遷移金属 ,  *電子構造 ,  *亜鉛 ,  吸着水 ,  Fermi準位 ,  *ドーピング ,  Gibbs自由エネルギー ,  密度汎関数法 ,  水素発生反応 ,  バンドギャップ ,  電子状態
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン ,  水素発生 ,  水素吸着 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  非線形光学  (BD05000T)

タイトルに関連する用語 (9件)： Zn ,  ドープ ,  MoS2 ,  立体配置 ,  電子構造 ,  触媒 ,  水素発生 ,  理論 ,  研究