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J-GLOBAL ID：202102239952402653   整理番号：21A0199004

X線照射チオスピネルにおける配位子ホールホッピングに続く局所Ir脱二量化【JST・京大機械翻訳】

Local Ir dedimerization followed by ligand-hole hopping in X-ray irradiated thiospinel

著者 (4件)： Hiraka Haruhiro (Quantum Beam Science Division, Korea Atomic Energy Research Institute, Daejeon, 34057, South Korea) ,  Matsumura Daiju (Materials Sciences Research Center, Japan Atomic Energy Agency, Hyogo, 679-5148, Japan) ,  Horigane Kazumasa (Research Institute for Interdisciplinary Science, Okayama University, Okayama, 700-8530, Japan) ,  Mizuki Jun′ichiro (School of Science and Technology, Kwansei Gakuin University, Hyogo, 669-1337, Japan)
資料名： Journal of Physics and Chemistry of Solids  (Journal of Physics and Chemistry of Solids)
巻： 150  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： C0202A  ISSN： 0022-3697  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 電荷秩序化温度TCO=190Kを持つスピネルCuIr_2(S_0.95Se_0.05)_4粉末試料の拡張X線吸収微細構造を,広い温度範囲のIr L3エッジで測定した。Ir-Ir結合の全ての局所構造パラメータは,T_λ>70Kで2番目の構造変化を示した。注目すべきことに,Ir二量体の数,ND(T)は,T*[ND(0)/ND(T*)}≦0.9]以下で,ΔΨ10%減少し,X線照射による部分的な脱二量化を示した。また,EF,gの状態密度に焦点を当てて,可変範囲ホッピングモデルで,CuIr_2S_4[Furubyashiら,Solid State Comm.126,617(2003)]の抵抗データを再分析した。抵抗のX線誘起減少を,gの増加の結果として定量的に説明し,10%脱二量化Irイオンからの正孔の放出に起因した。放出された正孔が配位子カルコゲンサイトをホップし,X線誘起構造変調[Kiryukhin et al.,Phys.Rev.Lett.97,225503(2006)]の起源を切断二量体の偏析の観点から考察した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *X線照射 ,  *スピネル ,  正孔 ,  粉体 ,  偏析 ,  *イリジウム ,  *二量化 ,  二量体 ,  状態密度 ,  *ホッピング伝導 ,  EXAFS
準シソーラス用語： 温度範囲 ,  局所構造 ,  構造変化 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： X線照射 ,  EXAFS ,  脱二量化 ,  配位子ホール ,  可変範囲ホッピング

分類 (4件)： 光化学一般  (CB08010U) ,  酸化物系超伝導体の物性  (BM04023I) ,  酸化物の結晶成長  (BK13050I) ,  光物性一般  (BM08010A)

タイトルに関連する用語 (6件)： X線照射 ,  配位子 ,  ホール ,  ホッピング ,  Ir ,  二量化