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J-GLOBAL ID：202102242208166385   整理番号：21A0893910

高速スイッチング応用のための電力技術における1MHzゲートドライバ【JST・京大機械翻訳】

1MHz Gate Driver in Power Technology for Fast Switching Applications

著者 (4件)： Di Lorenzo Roberto (University of Milan - Bicocca,Physics Department “G.Occhialini”,Milan,Italy) ,  Baschirotto Andrea (University of Milan - Bicocca,Physics Department “G.Occhialini”,Milan,Italy) ,  Pidutti Albino (IFAT DC ATV BP PD ADL, Infineon Technologies,Villach,Austria) ,  Del Croce Paolo (IFAT DC ATV BP PD ADL, Infineon Technologies,Villach,Austria)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： MIXDES  ページ： 199-203  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 自動車用途のための低コスト集積回路の需要は増加し,一方,それらのコストは製品競争力を維持するために低く留まっている。このシナリオでは,DC-DC Buckコンバータの高効率と低コスト(外部部品に関して)を保障するために,スイッチング周波数の増加が必須である。主な問題は,パワーMOSFETの寄生インダクタンスと寄生容量である。本論文では,このようなスイッチング周波数の増加の主な重要な側面を取り上げ,外部Schottkyダイオードを統合構造で置き換える方法を示した。負荷電流を制御する高速モノリシック集積回路の事例を提案した。適切な設計は,94.4%の効率で1MHzまでのスイッチング周波数を達成できる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 集積回路 ,  変換器 ,  自動車 ,  Schottky障壁ダイオード ,  半導体集積回路 ,  *電力技術 ,  漂遊容量
準シソーラス用語： 高効率 ,  寄生インダクタンス ,  パワーMOSFET ,  負荷電流 ,  スイッチング周波数 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (5件)： スイッチング ,  応用 ,  電力技術 ,  ゲート ,  ドライバ