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J-GLOBAL ID：202102242520522158   整理番号：21A0957485

SiC上グラフェンのSTM像に関する第一原理研究

Ab initio study on relationship between interface defects and STM images of graphene on SiC substrate

著者 (2件)： 小島佑太 (北大 大学院) ,  江上喜幸 (北大 大学院)
資料名： 日本物理学会講演概要集(CD-ROM)  (日本物理学会春季大会講演概要集(CD-ROM))
巻： 75  号： 2  ページ： ROMBUNNO.11pJ1-1  発行年： 2020年09月23日 
JST資料番号： S0671C  ISSN： 2189-079X  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 次世代のデバイス材料として注目されているグラフェンの作製法の1つにSiC表面熱分解法がある。この方法では、SiC基板上に良質なグラフェンをウェハーサイズでエピタキシャル成長させることができる。また、絶縁性基板上への転写による欠陥を抑制できる...【本文一部表示】

シソーラス用語： *グラフェン ,  エピタクシー ,  炭化ケイ素 ,  *基板 ,  *走査型トンネル顕微鏡 ,  輸送現象 ,  *バンド構造 ,  計算 ,  計算機シミュレーション
準シソーラス用語： エピタキシャルグラフェン ,  バンド計算 ,  第一原理計算 ,  *炭化ケイ素基板 ,  電子輸送

分類 (3件)： 炭素とその化合物  (YB02060D) ,  薄膜一般  (BK14010X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (5件)： SiC ,  グラフェン ,  STM ,  第一原理 ,  研究