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J-GLOBAL ID：202102242613848989   整理番号：21A1239225

円筒形スパッタリング陰極の磁場最適化とその高電力放電特性研究【JST・京大機械翻訳】

Magnetic field optimization and high-power discharge characteristics of cylindrical sputtering cathode

著者 (10件)： Li Tijun (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Cui Suihan (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Liu Liangliang (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055;香港城市大学物理与材料科学系,香港 999077) ,  Li Xiaoyuan (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Wu Zhongcan (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Ma Zhengyong (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Fu Jinyu (香港城市大学物理与材料科学系,香港 999077) ,  Tian Xiubo (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055) ,  Zhu Jianhao (香港城市大学物理与材料科学系,香港 999077) ,  Wu Zhongzhen (北京大学深zhen研究生院新材料学院,深zhen 518055)
資料名： Wuli Xuebao  (Wuli Xuebao)
巻： 70  号： 4  ページ： 278-288  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0628A  ISSN： 1000-3290  CODEN： WLHPA  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 高電力パルスマグネトロンスパッタリング(HiPIMS)技術に基づいて開発した円筒形スパッタリング陰極は、電磁システムと組み合わせて、プラズマの運輸効率を有効に向上できる。しかし、電磁システムの導入は反作用筒内放電特性に作用し、目標面の放電面積と放電強度を同時に維持できない。従って、本文では、磁場配置を調整することで、ターゲット表面接線方向(横方向)磁場と法線方向(縦方向)磁場がターゲット面放電に対する作用法則を研究し、最適化後、ターゲット面の接線磁場分布がより均一になり、磁場強度が40mTより高いターゲット面区域が51%から67%まで増加する。同時に,ピーク強度を外部にシフトし,強度は73mTから96mTに増加した。Ar/Crシステムの放電により、同じプロセス条件で、最適化後のスパッタリング陰極の輝光が明るくなり、ターゲット電流が増大し、放電面積が広くなり、放電特性が著しく向上することが分かった。イオン電流とスペクトル強度を,プラズマモデルシミュレーションと発光分光法によって明らかに改善し,Cr粒子密度は,2.6×1020m3に増加し,そして,分離率は,92.1%に増加し,そして,出力イオンフラックスは,約1倍増加した。ターゲット表面放電とイオン出力の二重促進を実現した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  沿面放電 ,  *最適化 ,  *磁場 ,  プラズマ ,  電流 ,  *放電 ,  アルゴン ,  クロム ,  スペクトル線強度 ,  発光分光法 ,  イオン電流 ,  *カソード
準シソーラス用語： イオンフラックス ,  *放電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： プラズマ診断  (BJ02090L) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (7件)： スパッタリング ,  陰極 ,  磁場 ,  最適化 ,  高電力 ,  放電特性 ,  研究