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J-GLOBAL ID：202102243232384790   整理番号：21A1575362

光電気化学エッチング法を用いたAlGaInN/AlGaNリセスゲートHFETの作製

Fabrication of recessed-gate AlGaInN/AlGaN HFETs utilizing a photo-electrochemical (PEC) etching

著者 (6件)： 伊藤滉朔 (北大 量集セ) ,  小松祐斗 (北大 量集セ) ,  渡久地政周 (北大 量集セ) ,  井上暁喜 (名古屋工大) ,  三好実人 (名古屋工大) ,  佐藤威友 (北大 量集セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-Z25-4  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

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シソーラス用語： *エッチング ,...
準シソーラス用語： *HFET ,...

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分類 (3件)： 分析機器  (CC02020S) ,  バイオアッセイ  (EA03060N) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 光電気化学エッチング ,  AlGaN ,  ゲート ,  HFET ,  作製