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J-GLOBAL ID：202102243631661592   整理番号：21A0198739

垂直Bridgman法による(100),(010)および(001)β-Ga_2O_3単結晶の成長【JST・京大機械翻訳】

Growth of (100), (010) and (001) β-Ga₂O₃ single crystals by vertical Bridgman method

著者 (6件)： Ohba Etsuko (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Ohba Etsuko (Interdisciplinary Graduate School of Science and Technology, Shinshu University, Nagano, Japan) ,  Kobayashi Takumi (Fujikoshi Machinery Corporation, Nagano, Japan) ,  Taishi Toshinori (Interdisciplinary Graduate School of Science and Technology, Shinshu University, Nagano, Japan) ,  Taishi Toshinori (Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano, Japan) ,  Hoshikawa Keigo (Faculty of Engineering, Shinshu University, Nagano, Japan)
資料名： Journal of Crystal Growth  (Journal of Crystal Growth)
巻： 556  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0942A  ISSN： 0022-0248  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： (100),(010)および(001)面に垂直な3つの成長方位を有するβ-Ga_2O_3単結晶の成長を,垂直Bridgman(VB)法によって調査した。異なる配向を有する3種類のシード結晶を調製し,同じ成長条件下で直径1の結晶を得た。交差偏光子とX線トポグラフィーによる調査は,3インゴットが双晶フリー単結晶であることを示した。(100),(010)および(001)面ウエハに対して,H_3PO_4を用いた選択エッチングを行い,次に,β-Ga_2O_3の異方性による異なるエッチング速度を決定し,特に成形エッチピットを明らかにした。[010]方向に伸びる線型欠陥が(100),(010)および(001)成長結晶で観察された。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： X線トポグラフィー ,  異方性 ,  エッチング ,  結晶成長 ,  双晶 ,  *単結晶 ,  インゴット ,  偏光子 ,  エッチピット ,  線形性 ,  種結晶
準シソーラス用語： エッチング速度 ,  *単結晶成長 ,  *垂直Bridgman法 ,  選択エッチング , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： A1.エッチング ,  A1 構造線形欠陥 ,  A1.X線トポグラフィー ,  A_2.Bridgman技術 ,  A_2 単結晶成長 ,  B_2 β-Ga_2O_3単結晶

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (2件)： 垂直Bridgman法 ,  単結晶の成長