光誘導過渡分光法によるアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける水素誘起トラップの状態

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J-GLOBAL ID：202102244081724510 整理番号：21A0834573

Hydrogen-Induced Trap States in Amorphous In-Ga-Zn-O Thin-Film Transistors Studied by Photoinduced Transient Spectroscopy

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巻： 24th ページ： ROMBUNNO.AMD2-1 発行年： 2017年12月05日
JST資料番号： L4269B ISSN： 1883-2504 資料種別：会議録 (C)
記事区分：短報発行国：日本 (JPN) 言語：英語 (EN)

・光誘導過渡分光法によるアモルファスIn-Ga-Zn-O薄膜トランジスタにおける水素誘起トラップ状態の進化を研究。
・エッチストップ層の形成条件は,正バイアス温度および負バイアス温度照明応力に由来する閾値電圧シフトとの相関を確認。

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トランジスタ , 半導体薄膜

引用文献 (14件)：

K. Nomura, H. Ohta, A. Takagi, T. Kamiya, M. Hirano, and H. Hosono, “Room-temperature fabrication of transparent flexible thin-film transistors using amorphous oxide semiconductors,” Nature Vol. 432, pp. 488-492 (2004).
Kamiya and H. Hosono, “Roles of Hydrogen in Amorphous Oxide Semiconductor”, ECS Trans. Vol.54, No. 1, pp. 103-113 (2013).
K. Nomura, T. Kamiya, and H. Hosono, “Effects of Diffusion of Hydrogen and Oxygen on Electrical Properties of Amorphous Oxide Semiconductor, In-Ga-Zn-O”, ECS J. Solid State Sci. Technol. Vol. 2, No. 1, pp. 5-8 (2013).
Y. Hanyu, K. Domen, K. Nomura, H. Hiramatsu, H. Kumomi, H. Hosono, and T. Kamiya, “Hydrogen passivation of electron trap in amorphous In-Ga-Zn-O thin-film transistors,” Appl. Phys. Lett. Vol. 103, No. 20, p. 202114 (2013).
T. Toda, D. Wang, J. Jiang, M. P. Hung, and M. Furuta, “Quantitative Analysis of the Effect of Hydrogen Diffusion from Silicon Oxide Etch-Stopper Layer into Amorphous In-Ga-Zn-O on Thin-Film Transistor,” IEEE Trans. Electron Devices Vol. 61,No. 11, pp. 3762-3767 (2014).

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