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J-GLOBAL ID:202102244176031946   整理番号:21A2350655

化学浴堆積法により堆積した[M(8-HQ)_2(H_2O)_2]{M=Ni(II),Co(II)}薄膜の構造および光学特性【JST・京大機械翻訳】

Structural and optical proprieties of [M(8-HQ)2(H2O)2] {M = Ni(II), Co(II)} thin films deposed by chemical bath deposition method
著者 (9件):
資料名:
巻: 50  号:ページ: 374-381  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5880A  ISSN: 2470-1556  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: イギリス (GBR)  言語: 英語 (EN)
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本研究の目的は,化学浴析出(CBD)法を用いて,ガラス基板上への8-ヒドロキシキノリン(8-HQ)コバルト(II)とニッケル(II)錯体の薄膜の堆積であった。堆積実験を,溶液温度(25°C~55°C),媒体pH(1~6),金属:配位子モル化学量論比(1:1~1:3),浸漬時間(範囲10~60分)のようないくつかの物理化学的因子の影響下で行った。得られた薄膜を,多くの分析法(UV-Vis分光法,赤外分光光度法,光学顕微鏡,走査電子顕微鏡,およびX線回折)を用いて特性評価した。得られた薄膜の光学的性質の研究から,錯体[Ni(8-HQ)_2(H_2O)_2]と[Co(8-HQ)_2(H_2O)_2]は,HOMOとLUMOの間のπ-π*またはn-π*電子遷移に対応するUV領域で,4.1と4.4eVの範囲のギャップエネルギーで強い吸収を有することが分かった。光学測定の見地から,[Ni(8-HQ)_2(H_2O)_2]と[Co(8-HQ)_2(H_2O)_2]錯体は半導体と考えられる。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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酸化物薄膜  ,  塩基,金属酸化物 
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