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J-GLOBAL ID:202102244318115407   整理番号:21A0567468

GaAs mHEMT技術を用いた71μm 76GHzからの低雑音増幅器MMICの設計【JST・京大機械翻訳】

Design of a Low Noise Amplifier MMIC from 71 - 76GHz using GaAs mHEMT technology
著者 (8件):
資料名:
巻: 2021  号: EuMC  ページ: 144-147  発行年: 2021年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文では,OMMICからの商用D007IH GaAs MHEMT技術を用いて,71GHzから76GHzで動作する最先端の低雑音増幅器の設計と特性評価について述べた。増幅器の利得はバンドにおいて8dBより良いリターン損失で24dBより大きいと測定された。WR12モジュールに統合したLNA MMICの雑音指数は2.1dB-2.3dBであり,約13dBのリターン損失であった。金型は3mmx1mmであった。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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, 【Automatic Indexing@JST】
分類 (2件):
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図形・画像処理一般  ,  パターン認識 
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