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J-GLOBAL ID:202102245129558457   整理番号:21A2169497

低温FIBIDによるPt-C析出物の最適化:実質成長速度増加と準金属挙動【JST・京大機械翻訳】

Optimization of Pt-C Deposits by Cryo-FIBID: Substantial Growth Rate Increase and Quasi-Metallic Behaviour
著者 (12件):
資料名:
巻: 10  号: 10  ページ: 1906  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7252A  ISSN: 2079-4991  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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極低温条件(Cryo-FIBID)技術下の集束イオンビーム誘起蒸着(FIBID)は,気体前駆体材料の凝縮温度以下で基板を冷却することにより前駆体分子の凝縮層を得ることに基づいている。この凝縮層は,所望のパターンに従ってイオンで照射され,その後,基板は前駆体凝縮温度以上で加熱され,露出したパターンの形状を有する堆積物を明らかにした。本稿では,Cryo-FIBIDによるPt-C析出物の高速成長を実証した。ここでは,最低の電気抵抗率を有する堆積物を得るために,プロセスの様々なパラメータを最適化する。30kVで120C/cm2のイオン照射面積線量を用いて,最適化されたΔλ30nm厚さのPt-C析出物を得た。この知見は,室温(40倍増強)で標準FIBIDで作製した同じ厚さの堆積物と比較するとき,成長速度の実質的な増加を示す。最適化された析出物(λ≧4104Ωcm)における電気抵抗率の値は,ある材料への電気的接触を行うのに適している。この技術の潜在的応用の概念の証明として,100m100mのパターンを,室温で標準FIBIDによって成長させた場合,2.5時間と比較して,イオン曝露(23C/cm2の面積線量)の43秒だけで実施した。イオン軌跡と堆積組成を,二元衝突近似モンテカルロコードを用いてシミュレートし,実験結果の理解のための固体基礎を与えた。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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金属薄膜  ,  固体デバイス製造技術一般 
引用文献 (24件):
  • Clark, R.; Tapily, K.; Yu, K.H.; Hakamata, T.; Consiglio, S.; O’Meara, D.; Wajda, C.; Smith, J.; Leusink, G. Perspective: New process technologies required for future devices and scaling. APL Mater. 2018, 6, 058203.
  • De Teresa, J.M.; Orús, P.; Córdoba, R.; Philipp, P. Comparison between Focused Electron/Ion Beam- Induced Deposition at Room Temperature and under Cryogenic Conditions. Micromachines 2019, 10, 799.
  • Gannon, T.J.; Gu, G.; Casey, J.D.; Huynh, C.; Bassom, N.; Antoniou, N. Focused ion beam induced deposition of low-resistivity copper material. J. Vac. Sci. Technol. B Microelectron. Nanom. Struct. 2004, 22, 3000.
  • Yasaka, A.; Aramaki, F.; Kozakai, T.; Matsuda, O. Nanoscale Imaging, Material Removal and Deposition for Fabrication of Cutting-edge Semiconductor Devices. Hitachi Rev. 2016, 65, 233-237.
  • Hiley, C.I.; Scanlon, D.O.; Sokol, A.A.; Woodley, S.M.; Ganose, A.M.; Sangiao, S.; De Teresa, J.M.; Manuel, P.; Khalyavin, D.D.; Walker, M.; et al. Antiferromagnetism at T > 500 K in the layered hexagonal ruthenate SrRu2O6. Phys. Rev. B Condens. Matter Mater. Phys. 2015, 92, 104413.
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