文献

J-GLOBAL ID：202102245284646738   整理番号：21A1878238

結晶成長のためのバッフルを有する水平加熱円筒容器内の乱流自然対流の数値シミュレーション【JST・京大機械翻訳】

Numerical Simulations of Turbulent Natural Convection in Laterally-Heated Cylindrical Enclosures With Baffles for Crystal Growth

著者 (3件)： Enayati Hooman (University of Akron, Akron, OH) ,  Chandy Abhilash J. (University of Akron, Akron, OH) ,  Braun Minel J. (University of Akron, Akron, OH)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： IMECE2016  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： アンモノサーマル結晶成長法は,Gallium Nitride(GaN)結晶の成長に用いる最も効果的な方法の1つである。GaN結晶は発光ダイオード(LED)またはUVレーザにおいて広い応用を有する。市販の計算流体力学(CFD)ソフトウェアANSYS FLUENTを用いた横方向加熱円筒反応器における自然対流の三次元ラージエディシミュレーション(LES)をRa=8.8×106のRayleigh数に対して提示した。現在の計算の目的は,反応器内の流れパターンと温度分布に及ぼすバッフルの開口面積の影響を理解することである。本研究で考慮したバッフルは,異なる開口面積を有する環状中空ディスクである。40%,25%および100%の全開口面積を有する3つのケースを考察した。異なる面と線を横切る速度と温度分布を解析し,種々のバッフル開口から生じる流れと熱伝達プロセス(温度マップ)に関する情報を得た。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 発光ダイオード ,  円板 ,  温度分布 ,  *結晶成長 ,  *自然対流 ,  熱伝達 ,  *乱流 ,  反応器 ,  流れ分布 ,  ソフトウェア ,  三次元 ,  Rayleigh数 ,  ラージエディシミュレーション
準シソーラス用語： *数値シミュレーション ,  ANSYS , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 対流・放射熱伝達  (PA02030K) ,  不均質流  (BC02060J)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶成長 ,  円筒容器 ,  乱流 ,  自然対流 ,  数値シミュレーション