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J-GLOBAL ID:202102245937575695   整理番号:21A0151804

高速アナログ/RF応用のためのIII-VおよびIII-Nデバイスの材料と欠陥側面【JST・京大機械翻訳】

Materials and Defect Aspects of III-V and III-N Devices for High-Speed Analog/RF Applications
著者 (11件):
資料名:
巻: 2020  号: ICSICT  ページ: 1-4  発行年: 2020年 
JST資料番号: W2441A  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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本論文は,III-VおよびIII-N材料およびデバイスにおけるトラップ準位の研究に対する深準位過渡分光法および発生-再結合雑音分光法の応用について述べた。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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図形・画像処理一般 
タイトルに関連する用語 (4件):
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