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J-GLOBAL ID：202102246414657317   整理番号：21A0175200

テレコム波長で発光するシリコン中の単一人工原子【JST・京大機械翻訳】

Single artificial atoms in silicon emitting at telecom wavelengths

著者 (18件)： Redjem W. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Durand A. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Herzig T. (Division of Applied Quantum Systems, Felix-Bloch Institute for Solid-State Physics, University Leipzig, Leipzig, Germany) ,  Benali A. (CNRS, Aix-Marseille Universite, Centrale Marseille, IM2NP, UMR 7334, Marseille, France) ,  Pezzagna S. (Division of Applied Quantum Systems, Felix-Bloch Institute for Solid-State Physics, University Leipzig, Leipzig, Germany) ,  Meijer J. (Division of Applied Quantum Systems, Felix-Bloch Institute for Solid-State Physics, University Leipzig, Leipzig, Germany) ,  Kuznetsov A. Yu. (Department of Physics, University of Oslo, Oslo, Norway) ,  Nguyen H. S. (Institut des Nanotechnologies de Lyon-INL, UMR CNRS 5270, CNRS, Ecole Centrale de Lyon, Ecully, France) ,  Cueff S. (Institut des Nanotechnologies de Lyon-INL, UMR CNRS 5270, CNRS, Ecole Centrale de Lyon, Ecully, France) ,  Gerard J.-M. (Department of Physics, IRIG, Universite Grenoble Alpes and CEA, Grenoble, France) ,  Robert-Philip I. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Gil B. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Caliste D. (Department of Physics, IRIG, Universite Grenoble Alpes and CEA, Grenoble, France) ,  Pochet P. (Department of Physics, IRIG, Universite Grenoble Alpes and CEA, Grenoble, France) ,  Abbarchi M. (CNRS, Aix-Marseille Universite, Centrale Marseille, IM2NP, UMR 7334, Marseille, France) ,  Jacques V. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Dreau A. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France) ,  Cassabois G. (Laboratoire Charles Coulomb, Universite de Montpellier and CNRS, Montpellier, France)
資料名： Nature Electronics  (Nature Electronics)
巻： 3  号： 12  ページ： 738-743  発行年： 2020年 
JST資料番号： W4776A  ISSN： 2520-1131  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： ドイツ (DEU)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 統合とスケーラビリティの可能性を考えると,シリコンは大規模量子技術のための重要なプラットフォームである。不純物または量子ドットのいずれかにより形成された個々の電子コード化人工原子は,シリコン系集積量子回路の有望な解決策として浮上している。しかし,情報の長距離交換に必要な光界面を特徴とする単一量子ビットは,シリコンではまだ分離されていない。ここでは,炭素原子を埋め込んだ市販のシリコンオンインシュレータウエハにおける単一光学活性点欠陥の分離を報告する。これらの人工原子は,1のオーダーの量子効率で,明るい,直線偏光単一光子発光を示した。この単一光子発光は光ファイバの長距離伝搬に適したテレコム波長で起こる。著者らの結果は,シリコンが,このような観測に好ましくない小さいバンドギャップ(1.1eV)にもかかわらず,ワイドバンドギャップ半導体のような単一孤立光点欠陥を収容できることを示した。炭素関連点欠陥は,光ファイバの長距離伝搬に適した波長で効率的な偏光単一光子発光を提供する人工原子として作用する市販のシリコンオンインシュレータウエハで分離できる。Copyright The Author(s), under exclusive licence to Springer Nature Limited 2020 Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  点欠陥 ,  *発光 ,  不純物 ,  偏光 ,  *ケイ素 ,  *波長 ,  直線偏光 ,  光ファイバ ,  量子効率 ,  量子ドット ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 単一光子 ,  量子ビット ,  ワイドギャップ半導体 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 量子力学一般  (BA06010C) ,  量子光学一般  (BD04010X)

タイトルに関連する用語 (3件)： 波長 ,  シリコン ,  人工原子