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J-GLOBAL ID:202102246769701062   整理番号:21A2520576

光触媒CO_2還元の高選択性と活性に及ぼすCu_3SnS_4中のS空孔の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of S vacancy in Cu3SnS4 on high selectivity and activity of photocatalytic CO2 reduction
著者 (10件):
資料名:
巻: 297  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: W0375A  ISSN: 0926-3373  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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本研究では,S空孔を有するCu_3SnS_4とCu(I/II)とSn(II/IV)の異なる比率を,光触媒CO_2還元のために,高選択性と活性で設計した。Cu_3SnS_4のSn(II)5p軌道によって支配された伝導バンド(CB)位置はSn(II)の含有量を制御することで制御できた。結晶格子中のCu(I)とSn(IV)は,密度汎関数理論(DFT)計算によって実証されたように,CO_2とH_2Oの吸着サイトとして作用し,一方,Cu(I)は,COへの強い吸着能力を有し,それは,CH_4生成(CO_2→COOH≡CO≡CH_2O≡CH_3O≡CH_4)のための更なるプロトン化に役立った。S空孔はCu(I)とSn(II)の外観をもたらし,電子-正孔再結合を成功裏に抑制し,反応性(CH_4は22.65μmol/g/h)と選択性(CH_483.10%)を改善することができた。本研究は,還元能力と選択性を増すためにCB位置を調整するための空孔と元素を制御することによる合成方法に光を当てる。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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有害ガス処理法  ,  その他の触媒 
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