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J-GLOBAL ID：202102246825965706   整理番号：21A0114840

閃亜鉛鉱ZnSの可視光吸収に及ぼすCu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)ドーピングの影響を研究した。【JST・京大機械翻訳】

Effects of Cu-X (X=C, Si, Ge, Sn, Pb) doping on visible light absorption of ZnS

著者 (4件)： Dong Minghui (斉魯理工学院 基礎教学部,山東 済南 250200) ,  Wang Xuewen (斉魯理工学院 基礎教学部,山東 済南 250200) ,  Yin Tiantian (斉魯理工学院 基礎教学部,山東 済南 250200) ,  Li Na (斉魯理工学院 計算科学与信息工程学院,山東済南 250200)
資料名： Kezaisheng Nengyuan  (Kezaisheng Nengyuan)
巻： 38  号： 11  ページ： 1446-1452  発行年： 2020年 
JST資料番号： C4094A  ISSN： 1671-5292  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： 閃亜鉛鉱ZnSは一般的な光触媒であり、水から水素を製造する原料である。閃亜鉛鉱ZnSのバンドギャップは広く(3.68eV),これは閃亜鉛鉱ZnSの可視光吸収をある程度制限した。閃亜鉛鉱ZnSの可視光吸収効率を高め、その工程応用範囲を広げるため、本文は第一性原理に基づき、Cu-X(X=C、Si、Ge、Sn、Pb)ドーピングが閃亜鉛鉱ZnSの安定性、光学吸収特性及び触媒特性に与える影響を分析した。解析結果は以下のことを示した。Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)ドープ閃亜鉛鉱ZnSの結合エネルギーは,それぞれ-2.33,-2.21,-2.18,-2.06,-1.93eVであり,従って,ドーピング後の構造は比較的安定である。Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn)ドープ閃亜鉛鉱ZnSは閃亜鉛鉱ZnSのバンドギャップ幅がそれぞれ3.68eVから3.12,2.85,2.63,2.32eVに減少し,禁止帯にp-d混成準位が導入できた。これは可視光の吸収に有利である。Cu-X(X=C,Si,Ge,Sn,Pb)ドープ閃亜鉛鉱ZnS後,閃亜鉛鉱ZnSの伝導バンド端位置は,それぞれ-1.03,-0.905,-0.865,-0.79eVであり,閃亜鉛鉱ZnSの価電子バンド端位置はそれぞれ2.29であった。2.19,1.945,1.765,1.53eVで,これらの伝導と価電子バンド端の位置は,光加水分解の水素生成条件を満たした。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 結合エネルギー ,  水素 ,  加水分解 ,  *硫化亜鉛 ,  伝導バンド ,  *ドーピング ,  *閃亜鉛鉱 ,  *可視光 ,  価電子バンド ,  光触媒 ,  水素発生反応 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： 吸収効率 ,  触媒特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 太陽電池  (NC03084O) ,  半導体結晶の電子構造  (BM02060N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 閃亜鉛鉱 ,  ZnS ,  可視光 ,  Si ,  Ge ,  Sn ,  Pb ,  ドーピング ,  研究