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J-GLOBAL ID：202102247203551918   整理番号：21A0350354

高効率量子ドット増感太陽電池のための正孔輸送を媒介する正孔輸送材料【JST・京大機械翻訳】

Hole transport materials mediating hole transfer for high efficiency quantum dot sensitized solar cells

著者 (6件)： Lin Yu (Key Laboratory for Biobased Materials and Energy of Ministry of Education, College of Materials and Energy, South China Agricultural University, Guangzhou 510642, China. [e-mail] [e-mail]) ,  Song Han ,  Zhang Jianxin ,  Rao Huashang ,  Pan Zhenxiao ,  Zhong Xinhua
資料名： Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability  (Journal of Materials Chemistry A. Materials for Energy and Sustainability)
巻： 9  号： 2  ページ： 997-1005  発行年： 2021年 
JST資料番号： W0204B  ISSN： 2050-7488  CODEN： JMCAET  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 量子ドット(QD)から多硫化物レドックス対電解質への遅い正孔移動は,QD増感太陽電池(QDSCs)の光起電力性能を低下させる。正孔移動を加速し,QDSCsの性能を改善するために,一連の正孔輸送材料(酸化グラフェン(GO),ジフェニルスルフィド(DPS),および2,2′,7,7-テトラキス[N,N-ジ(4-メトキシフェニル)-アミノ]-9,9′-スピロ-ビフルオレン(スピロ)を,QD増感光アノード上に堆積し,正孔移動相互作用媒体として機能する。実験結果は,スピロを除いて,他の2つのHTMsが,得られたセルデバイスの光起電力性能の改善にプラス効果を持つことを示した。対応するセルデバイスの性能に及ぼすGOの影響の固有機構を系統的に研究した。光ルミネセンス減衰測定から,QDと電解質間の界面へのGOの導入は,正孔移動動力学を約4.7倍加速できることが明らかになった。QD増感光アノード上のGO修飾は,元の12.50%から13.84%までZCISe QDSCsの電力変換効率(PCE)を改善でき,これはQDSCsの最良の性能である。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  光起電力 ,  *正孔 ,  *太陽電池 ,  光ルミネセンス ,  *増感 ,  媒質 ,  酸化還元反応 ,  電解質 ,  多硫化物 ,  *量子ドット
準シソーラス用語： *正孔輸送 ,  電力変換効率 ,  酸化グラフェン ,  光アノード , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (3件)： 高効率 ,  量子ドット増感太陽電池 ,  正孔輸送