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J-GLOBAL ID:202102247456843821   整理番号:21A0041025

高濃度pドープグラフェンスタックにおける超高速光ポンピングによるホットエレクトロンの励起増強【JST・京大機械翻訳】

Excitation Enhancement of Hot Electrons by Ultrafast Optical Pumping in Heavily p-Doped Graphene Stacks
著者 (11件):
資料名:
巻: 14  号:ページ: 064049  発行年: 2020年 
JST資料番号: W3691A  ISSN: 2331-7019  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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エネルギー光誘起熱電子は,多数の光電気および光化学プロセスにおけるそれらの潜在的な応用性のために,科学的注目を集めている。通常,電子のエネルギーは超高速冷却により熱に急速に変換し,これは熱電子の高効率利用のボトルネックと考えられる。本研究では,縮退フェムト秒ポンププローブ分光法による意図的に大きなpドープグラフェンスタックを調べ,弱いポンプフルエンスでのホットエレクトロンの励起増強を観測した。ホットエレクトロン励起の時間スケールは,電子-電子と電子-光-フォノン散乱による高速減衰と同じ順序である。物理的には,Auger過程とポピュレーション反転は,このシステムで抑制されるが,伝導バンドは,ホットエレクトロンの超高速冷却を通して,パルス持続時間内で効果的に真空し,熱電子の励起増強につながる可能性がある。この励起増強は,多層積層プロセスまたは熱アニーリング前処理によってさらに強化できる。グラフェンスタックの光吸収は対応して増加し,低ポンプフルエンスで線形限界より大きい値を示した。さらに,吸収変調深さは,小さなポンプ-フルエンス変化([数式:原文を参照])に対して単層グラフェンにおいて約0.79%に達し,さらに,二重および三重積層グラフェン層でそれぞれ約1.2%および約2.5%に増加し,吸収がポンプフルエンスの極めて小さな変化によって十分に変化することを示す。これらの結果は低コストパルス操作に適用できる。この効果が励起熱電子からエネルギーを収集するための潜在的用途を持ち,高速変調器,光検出器,太陽電池,光触媒を実現するためのユニークな方法を提供することを示唆した。Copyright 2021 The American Physical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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光伝導,光起電力  ,  炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (5件):
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