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J-GLOBAL ID：202102247584192917   整理番号：21A0003315

歪印加によるNiI_2単分子層の磁気異方性とCurie温度の増強:第一原理研究【JST・京大機械翻訳】

Enhanced magnetic anisotropy and Curie temperature of the NiI₂ monolayer by applying strain: a first-principles study

著者 (4件)： Han Hecheng (College of Physical Science and Technology, Bohai University, Jinzhou 121013, China. [e-mail]) ,  Zheng Huiling ,  Wang Qiushi ,  Yan Yu
資料名： Physical Chemistry Chemical Physics  (Physical Chemistry Chemical Physics)
巻： 22  号： 46  ページ： 26917-26922  発行年： 2020年 
JST資料番号： A0271C  ISSN： 1463-9076  CODEN： PPCPFQ  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高磁気異方性(MA)とCurie温度(T_C)を有する二次元(2D)固有強磁性半導体は,低次元スピントロニクス応用に望ましい。ここでは,第一原理計算を用いて,-4%から4%までの歪下の半導体NiI_2単分子層の構造安定性,MAおよびT_Cを示した。非歪NiI_2単層は,単位格子あたり-0.11meVの面内磁気異方性エネルギーおよび79KのT_Cを示した。最も注目すべきことに,NiI_2単分子層の面内MAとT_Cは圧縮歪下で同時に増強された。一方,NiI_2単分子層はまだ安定であった。特に,圧縮歪が-4%に達すると,面内MAは,非歪システムよりも3倍以上高い。スピン-軌道結合の二次摂動理論に基づいて,状態密度と軌道磁気異方性の寄与を解析し,圧縮歪効果はI原子の逆スピンp_yとp_x軌道間のスピン-軌道結合相互作用からの負の寄与の増加に起因することを示した。本研究は,より高いMAとT_Cを有する新しい2D強磁性半導体を探索するための有望な経路を提供した。Copyright 2021 Royal Society of Chemistry All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Curie温度 ,  *磁気異方性 ,  摂動論 ,  相互作用 ,  半導体 ,  *単分子層 ,  状態密度 ,  二次元 ,  単一層 ,  強磁性半導体 ,  第一原理 ,  スピントロニクス
準シソーラス用語： 圧縮歪 ,  単位格子 ,  第一原理計算 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 塩  (CD01050V) ,  磁気異方性・磁気機械効果一般  (BM06101B) ,  無機化合物一般及び元素  (CD01010D)

タイトルに関連する用語 (8件)： 歪 ,  印加 ,  単分子層 ,  磁気異方性 ,  Curie温度 ,  増強 ,  第一原理 ,  研究