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J-GLOBAL ID：202102247593201309   整理番号：21A0463205

密度汎関数理論に基づくGaSSe/グラフェンヘテロ接合のSchottky障壁改質【JST・京大機械翻訳】

Schottky barrier modification of GaSSe/graphene heterojunctions based on density functional theory

著者 (9件)： Lv Lingling (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Shen Yanqing (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Ma Yanyan (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Gao Xu (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Liu Jiajia (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Wu Shengyao (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Wang Xinyu (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Gong Dewei (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China) ,  Zhou Zhongxiang (School of Physics, Harbin Institute of Technology, Harbin 150001, People’s Republic of China)
資料名： Journal of Physics. D. Applied Physics  (Journal of Physics. D. Applied Physics)
巻： 54  号： 15  ページ： 155104 (8pp)  発行年： 2021年 
JST資料番号： B0092B  ISSN： 0022-3727  CODEN： JPAPBE  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： イギリス (GBR)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： van der Waalsヘテロ接合を構築することは,二次元(2D)材料特性の欠陥を解決する有効な方法である。2D単層GaSSeの結晶構造と電子特性を第一原理計算を用いて調べた。密度汎関数理論計算に基づいて,2つの異なるGaSSe/グラフェンヘテロ接合を設計し,それらの電気的および界面特性を計算した。計算結果から,グラフェンとGaSSeは,化合物化後に元のバンド構造を維持することができ,2つの層間の相互作用は弱いvan der Waals効果を示すことが分かった。GaSSe/グラフェンヘテロ接合が形成されるとき,グラフェンのエネルギーバンドギャップは25meVに開ける。グラフェンは電極として使用でき,電子はグラフェン層からGaSSeチャネルへ流れる。さらに,層間距離と印加電場は,GaSSe/グラフェンヘテロ接合のSchottky障壁高さとSchottky接触型(n型とp型)を調節するように調整できた。2つの異なるヘテロ接合は,それぞれ3.00と2.70Åの層間隔においてSchottky接触型変換を達成できる。GaSSe/グラフェンヘテロ接合のDirac点の位置は印加電場の変化と共に移動する。Dirac点はヘテロ接合の順方向電場が増加するにつれて半導体価電子帯に向かって徐々に移動した。さらに,GaSSe/グラフェンヘテロ接合の界面に形成されたn型接触は,逆電場が約0.5eVÅ-1のとき,オーム接触に変換するであろう。すべての理論的結果は,GaSSe/グラフェンヘテロ接合の基本的性質を明らかにし,GaSSe/グラフェンヘテロ接合が高性能電界効果トランジスタデバイスを設計するのに使用できることを予測する。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *Schottky障壁 ,  *ヘテロ接合 ,  界面 ,  相互作用 ,  電場 ,  半導体 ,  FET【トランジスタ】 ,  価電子バンド ,  二次元 ,  Ohm接触 ,  *密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  *グラフェン
準シソーラス用語： 第一原理計算 ,  Dirac点 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

タイトルに関連する用語 (5件)： 密度汎関数理論 ,  グラフェン ,  ヘテロ接合 ,  Schottky障壁 ,  改質