文献
J-GLOBAL ID:202102247739243541
整理番号:21A0187672
赤外線カメラを使用したパワー半導体の歪みと温度の同時モニタリング
Simultaneous Monitoring of Strain and Temperature for Power Semiconductor using Single IR Camera
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著者 (3件):
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資料名:
号:
EDD-20-050-064/SPC-20-200-214 電子デバイス研究会/半導体電力変換研究会
ページ:
81-86
発行年:
2020年12月21日
JST資料番号:
Z0924B
資料種別:
会議録 (C)
記事区分:
原著論文
発行国:
日本 (JPN)
言語:
日本語 (JA)
抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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パワーデバイスに対して歪と温度を同時に測定するシステムを提案する。1台の赤外線カメラによる同時歪・温度測定に対して,画像相関と赤外線サーモグラフィーを行った。このシステムは,パワー半導体パッケージとチップの微小領域に適用でき,熱応力によるパワー半導体の故障メカニズムを解析できる。(翻訳著者抄録)
シソーラス用語:
シソーラス用語/準シソーラス用語
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分類 (2件):
分類
JSTが定めた文献の分類名称とコードです
固体デバイス計測・試験・信頼性
, 図形・画像処理一般
引用文献 (15件):
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渡邉晃彦・大村一郎 著 : 「パワー半導体の高信頼化を促進するリアルタイム・モニタリング技術」, SCAS NEWS, pp3-6(2015)
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A. Watanabe, I. Omura : ′′A power cycling degradation inspector of power semiconductor devices′′, Microelectronics Reliability, Vol.88-90, p.458-461 (2018)
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Christian Herold, Jörg Franke, Riteshkumar Bhojani, Andre Schleicher, Josef Lutz : ′′Requirements in power cycling for precise lifetime estimation′′, Microelectronics Reliability, Vol.58, p.82-89 (2016)
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Lutz, J., Schlangenotto, H., Scheuermann, U., De Doncker, R.: ′′Semiconductor Power Devices′′, Springer (2011)
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Jason Y.L. Goh, Mark C. Pitter, Chung W. See, Michael G. Somekh, Daniel Vanderstraeten : ′′Sub-pixel image correlation: an alternative to SAM and dye penetrant for crack detection and mechanical stress localisation in semiconductor packages′′ Microelectronics Reliability, Vol.44, p. 259-267 (2004)
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タイトルに関連する用語 (4件):
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