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J-GLOBAL ID：202102247765703156   整理番号：21A3410201

GaN系MOSダイオードのための熱成長Nb酸化物【JST・京大機械翻訳】

Thermally grown Nb-oxide for GaN-based MOS-diodes

著者 (6件)： Bhardwaj Navneet (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Upadhyay Bhanu B. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Yadav Yogendra K. (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Surapaneni Sreenadh (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Ganguly Swaroop (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India) ,  Saha Dipankar (Department of Electrical Engineering, Indian Institute of Technology Bombay, Powai, Mumbai 400076, India)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 572  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ニオブ(Nb)薄膜をスパッタリングし,続いて酸素(O_2)雰囲気中で急速熱アニーリングすることにより,AlGaN/GaNヘテロ構造上に10nmの非晶質Nb_2O_5を成長させた。X線光電子分光法(XPS)分析はアニーリング温度500°CでNb_2O_5の理想的な化学量論を示した。Nb_2O_5のAlGaN(ΔE_v)によるバンドギャップ(E_g)と価電子帯オフセットは,それぞれ4.15eVと0.15eVと見積もられた。原子間力顕微鏡(AFM)で測定した酸化物の二乗平均平方根(RMS)粗さは1.32nmであった。酸化物の厚さと結晶性を透過型電子顕微鏡(TEM)で確認した。逆漏れ電流は,Nb_2O_5/AlGaN/GaN金属-オキシド-半導体(MOS)ダイオードに対して,schottkyダイオードと比較して3桁減少した。AlGaNによるNb_2O_5(ε_ox)と界面状態密度(D_it)の誘電率は,容量電圧(CV)特性によってそれぞれ58と7.0×1013cm-2eV-1と見積もられた。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 界面 ,  *ダイオード ,  電圧 ,  半導体 ,  誘電率 ,  *ニオブ ,  非晶質 ,  漏れ電流 ,  価電子バンド ,  *窒化ガリウム ,  透過型電子顕微鏡 ,  原子間力顕微鏡 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： ヘテロ構造 ,  窒化アルミニウムガリウム , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  AlGaN界面 ,  金属-オキシド-半導体(MOS)ダイオード ,  酸化ニオブ

分類 (5件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  酸化物薄膜  (BK14050P) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V) ,  電子分光スペクトル  (BM09060K) ,  吸着の電子論  (CB12042Y)

タイトルに関連する用語 (5件)： GaN ,  MOSダイオード ,  成長 ,  Nb ,  酸化物