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J-GLOBAL ID：202102247785391616   整理番号：21A1774827

In_0.10Ga_0.90As_0.96N_0.04薄膜の熱伝導率測定【JST・京大機械翻訳】

Thermal Conductivity Measurement of In0.10Ga0.90As0.96N0.04 Thin Film

著者 (4件)： Jan Antony (Stanford University, Stanford, CA) ,  Cheaito Ramez (Stanford University, Stanford, CA) ,  Goodson Kenneth E. (Stanford University, Stanford, CA) ,  Clemens Bruce M. (Stanford University, Stanford, CA)
資料名： ASME Conference Proceedings  (ASME Conference Proceedings)
号： HT2017  ページ： Null  発行年： 2017年 
JST資料番号： A0478C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 希薄なインジウムガリウム窒化物(In_xGa_1-xAs_1-yN_y)は,長波長エミッタとしてのフォトニック応用と,低減衰光ファイバ通信のためのシリカ光ファイバとのペアリングに貴重である。これらのデバイスの信頼できる操作は,正確な温度制御と,それらの成分の熱特性の知識に結びついている。しかし,任意の組成のバルクまたは薄膜InGaAsNの熱伝導率は,文献では利用できない限り,著者らの知識の最良である。応答において,GaAs基板上に有機金属化学蒸着(MOCVD)によって成長させた78nmIn_0.10Ga_0.90As_0.96N_0.04膜の熱伝導率を測定するために,時間領域熱反射(TDTR)を用いた。In_0.10Ga_0.90As_0.96N_0.04の熱伝導率は,6+/-0.5Wm-1K-1であり,バルクIn_0.10Ga_0.90Asよりも2倍低かった。著者らの知る限り,これはInGaAsNに関する初めて報告された熱伝導率測定である。また,任意の組成に対するInGaAsNの熱伝導率を予測するための解析モデルを示した。このモデルを用いて,熱伝導率の減少は,窒素不純物によるフォノンの散乱と膜厚からの長い平均自由行程フォノンの境界散乱に起因することを見出した。Please refer to the publisher for the copyright holders. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 温度制御 ,  散乱 ,  *熱伝導率 ,  *薄膜 ,  光通信 ,  フォノン ,  不純物 ,  窒素 ,  平均自由行程 ,  二酸化ケイ素 ,  熱特性 ,  窒化ガリウム ,  光ファイバ ,  MOCVD ,  解析モデル

分類 (2件)： 光導電素子  (NC03083X) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (2件)： 薄膜 ,  熱伝導率測定