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J-GLOBAL ID：202102248030475480   整理番号：21A0175397

材料-デバイス統合展望からの蛍石構造強誘電体に基づく半導体素子の展望【JST・京大機械翻訳】

A perspective on semiconductor devices based on fluorite-structured ferroelectrics from the materials-device integration perspective

著者 (8件)： Park Ju Yong (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Yang Kun (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Lee Dong Hyun (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Kim Se Hyun (Technology Licensing Office, Institute for research & industry cooperation, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Lee Younghwan (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, 911 Partners Way, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  Reddy P. R. Sekhar (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea) ,  Jones Jacob L. (Department of Materials Science and Engineering, North Carolina State University, 911 Partners Way, Raleigh, North Carolina 27695, USA) ,  Park Min Hyuk (School of Materials Science and Engineering, Pusan National University, 2, Busandaehak-ro-63-beon-gil, Geumjeong-gu, Busan 46241, Republic of Korea)
資料名： Journal of Applied Physics  (Journal of Applied Physics)
巻： 128  号： 24  ページ： 240904-240904-24  発行年： 2020年 
JST資料番号： C0266A  ISSN： 0021-8979  CODEN： JAPIAU  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 強誘電体材料は,2つの電気的に切り替え可能な自然分極状態のため,不揮発性メモリデバイスのための理想的な材料として知られている。しかし,強誘電体材料によるデバイスダウンの困難さは,それらの実用化と研究を妨げてきた。蛍石構造強誘電体における強誘電性の発見は強誘電体に基づく半導体デバイスに関する研究を復活した。それらのスケーラビリティと確立された作製技法により,蛍石構造強誘電体を有するナノスケール電子デバイスの性能が急速に開発されている。しかし,優れた強誘電性の背後にある基本的物理学はまだ解明されていない。この展望から,それらに基づく蛍石構造強誘電体と最先端の半導体デバイスの研究状況を包括的にレビューした。特に,蛍石構造酸化物の基本的な物理学を,強誘電体に関する古典的理論と同様に,新たに開発した理論に基づいて批判的にレビューした。材料科学と工学の観点から,蛍石構造強誘電体に基づく新興半導体デバイスの確立に関する展望を提供した。Copyright 2021 AIP Publishing LLC All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *強誘電体 ,  半導体素子 ,  酸化物 ,  強誘電性 ,  不揮発性メモリ ,  自発分極 ,  材料科学
準シソーラス用語： *蛍石型構造 ,  ナノデバイス ,  強誘電体材料 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 統合 ,  展望 ,  蛍石構造 ,  強誘電体 ,  半導体素子