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J-GLOBAL ID：202102248340763297   整理番号：21A1484354

CaMoO₄の表面からの硫化によるMoS₂薄膜の作製

著者 (4件)： 内藤樹 (北大 大学院) ,  柳瀬隆 (北大 大学院) ,  長浜太郎 (北大 大学院) ,  島田敏宏 (北大 大学院)
資料名： 日本表面真空学会東北・北海道支部学術講演会講演予稿集
巻： 2020 (CD-ROM)  ページ： ROMBUNNO.O-11  発行年： 2021年03月04日 
JST資料番号： F1026A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 1.諸言.層状物質である二硫化モリブデン(MoS2)は層数に依存したバンドギャップを持つことや熱的・機械的安定性の高さから原子層半導体としての応用が期待されている。実用化には高い結晶性をもったドメインサイズの大きいMoS2単層膜が求められて...【本文一部表示】

シソーラス用語： エピタクシー ,  最適化 ,  *薄膜 ,  半導体 ,  *カルシウム ,  *モリブデン ,  酸化物 ,  *硫化 ,  結晶度 ,  硫黄 ,  化学蒸着 ,  薄膜成長 ,  Raman分光法 ,  バンドギャップ ,  ドメイン構造 ,  *硫化モリブデン(IV) ,  改変
準シソーラス用語： *二硫化モリブデン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： 硫化 ,  MoS2 ,  薄膜 ,  作製