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J-GLOBAL ID:202102248375298485   整理番号:21A0343690

低温におけるNO_2の検出のためのrGO修飾NiO-BiVO_4ヘテロ接合【JST・京大機械翻訳】

rGO decorated NiO-BiVO4 heterojunction for detection of NO2 at low temperature
著者 (8件):
資料名:
巻: 329  ページ: Null  発行年: 2021年 
JST資料番号: T0967A  ISSN: 0925-4005  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: オランダ (NLD)  言語: 英語 (EN)
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半導体ヘテロ接合とrGOの組み合わせは,ガスセンサのセンシング性能を改善する有望な方法である。3.7wt%rGO-NiO-BiVO_4複合材料を,簡単な水熱および金属有機分解法によって成功裏に合成した。ガス検知試験は,三元複合材料の最高の応答が,60°Cで2ppmのNO_2に対して,rGO-NiO接合と純粋なNiOより,それぞれ4倍と8倍高く,そして,三元複合材料は,迅速な応答を示すことを明らかにする。さらに,この複合材料は,CO,トルエン,エタノール,NH_3およびホルムアルデヒドのような全ての試験ガスの中でNO_2に対して最も高い応答を示し,すなわち,NO_2に対する複合材料は優れた選択性を有した。この改善は,ヘテロ接合の界面での効果的な電子移動とrGO負荷による表面積と表面欠陥の増加に起因する。本研究は,p型半導体のガス検知性能を改善するための参照値を持つ。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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