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J-GLOBAL ID：202102248523368118   整理番号：21A0677317

化学リフトオフ中の自発形成垂直テザーによるマイクロスケール発光ダイオードの特異な基板への物質移動【JST・京大機械翻訳】

Mass Transfer of Microscale Light-Emitting Diodes to Unusual Substrates by Spontaneously Formed Vertical Tethers During Chemical Lift-Off

著者 (7件)： Kim Ja-Yeon (Korea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea) ,  Cho Yoo-Hyun (Korea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea) ,  Cho Yoo-Hyun (Department of Photonic Engineering, Chosun University, Gwangju 501-759, Korea) ,  Park Hyun-Sun (Korea Photonics Technology Institute (KOPTI), Gwangju 500-460, Korea) ,  Park Hyun-Sun (Department of Photonic Engineering, Chosun University, Gwangju 501-759, Korea) ,  Ryou Jae-Hyun (Department of Mechanical Engineering, University of Houston, Houston, TX 77204-2004, USA) ,  Kwon Min-Ki (Department of Photonic Engineering, Chosun University, Gwangju 501-759, Korea)
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 9  号： 20  ページ： 4243  発行年： 2019年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ガラス,Si,ポリエチレンテレフタレート,またはポリウレタンのような異常な基板への窒化ガリウム(GaN)発光ダイエ(LED)を,犠牲層または余分なプロセス段階を必要とせずに,化学リフトオフ(CLO)中に自発的に生成した垂直テザーで,非常に単純化された。LEDアレイは接着層で被覆したスタンプ上に存在した。LEDの層を新しい基板に移した後,スタンプをアセトンによって除去し,調製を完了した。3cm2以上のLEDアレイは,いかなる損傷やミスオリエンテーションも無く,種々の基板に移動した。また,光学的および電気的特性は,ビルトインストレスにおけるデカーゼによる移動後に改善されることを見出した。この簡単で実用的な方法は,大きく減少したか,あるいは全く損傷しない種々の基板上の移動可能な完全カラーGaNマイクロLEDの開発を大きく促進することが期待される。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  ガラス ,  *発光 ,  簡素化 ,  電気的性質 ,  ケイ素 ,  ポリウレタン ,  ポリエチレンテレフタレート ,  窒化ガリウム ,  *テザー ,  脂肪族ケトン
準シソーラス用語： *リフトオフ ,  犠牲層 ,  LEDアレイ ,  スタンプ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： GaN ,  発光ダイオード ,  化学的リフトオフ ,  輸送

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

物質索引 (1件)： アセトン

引用文献 (15件)：

• Deol, R.S.; Choi, H.W.; Singh, M.; Jabbour, G.E. Printable displays and light sources for sensor applications: A review. IEEE Sens. J. 2015, 15, 3186.
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• Wong, W.S.; Sands, T.; Cheung, N.W.; Kneissl, M.; Bour, D.P.; Mei, P.; Romano, L.T.; Johnson, N.M. Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off. Appl. Phys. Lett. 1999, 75, 1360.

タイトルに関連する用語 (7件)： 化学 ,  リフトオフ ,  垂直 ,  テザー ,  マイクロスケール ,  発光ダイオード ,  物質移動