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J-GLOBAL ID：202102249174759526   整理番号：21A1300677

AlInN/GaN MOS-HEMTのための小信号等価回路パラメータに及ぼす温度の影響の解析【JST・京大機械翻訳】

Analysis of Temperature Effect on Small-Signal- Equivalent-Circuit Parameters for AlInN/GaN MOS-HEMT

著者 (3件)： Amarnath G. (Marri Laxman Reddy Institute of Technology and Management,Department. of ECE,Hyderabad,India) ,  Sudha D. (CMR College of Engineering and Technology,Department.of ECE,Hyderabad,India) ,  Hima Bindhu S. K. (Marri Laxman Reddy Institute of Technology and Management,Department. of ECE,Hyderabad,India)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： ICATMRI  ページ： 1-4  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,「AlInN/AlN/GaN 金属-オキシド-半導体高電子移動度トランジスタ(MOS-HEMT)」について,小信号等価回路パラメータに対する温度の影響を紹介した。分析は,100GHz周波数におけるSパラメータ計算によって,-50°Cから100°Cの温度範囲で行った。等価回路パラメータの熱分析を,提案したデバイスで初めて調べた。固有遅延時間(τ),ゲートソースキャパシタンス(C_gs),外因性抵抗(R_g,R_s,R_d)および固有抵抗(R_ds,R_in,R_gd)のような等価回路パラメータは,温度上昇とともに正のシフトを示した。一方,固有相互コンダクタンス(g_m),ドレインソースキャラクタンス(C_ds),ゲート-ドレインキャラクタンス(C_gd)は温度とともに負のシフトを示した。得られた結果は,GaNベースのMMICと他の高出力/周波数応用の設計最適化のためのいくつかの貴重な情報を提供するであろう。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 電気抵抗率 ,  半導体 ,  酸化物 ,  熱分析 ,  *回路定数 ,  *窒化ガリウム ,  相互コンダクタンス ,  *HEMT ,  昇温 ,  MMIC
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  温度範囲 ,  遅延時間 ,  高出力 ,  設計最適化 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R) ,  図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (6件)： GaN ,  MOS ,  HEMT ,  等価回路 ,  パラメータ ,  解析