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J-GLOBAL ID:202102249481041746   整理番号:21A0992317

広帯域ゼロIF受信機のI/Q不均衡のためのブラインドキャリブレーションモデル【JST・京大機械翻訳】

A Blind Calibration Model for I/Q Imbalances of Wideband Zero-IF Receivers
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 11  ページ: 1868  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7178A  ISSN: 2079-9292  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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周波数依存I/Q不均衡と周波数独立I/Q不均衡は広帯域ゼロIF受信機における主要な障害であり,両者は無視できない。本論文では,ブラインド較正モデルを,これらのI/Q不均衡を補償するために設計した。低コストで不均衡パラメータを正確に推定するために,受信信号の周波数領域統計特性に従って分類規則を提案した。周波数領域の較正点を2つの群に分けた。次に,振幅不均衡と周波数依存位相不均衡を信号点のグループから引き出して,別々に,周波数独立位相不均衡をノイズポイントのグループから計算する。周波数依存位相不均衡の導出において,すべての信号点に適した一般的フィッティングモデルを提案し,それはDC点またはfs/2点のいずれかに対して特別な計算を必要としない。次に,有限インパルス応答(FIR)実数値フィルタを設計して,受信信号の障害を修正する。提案した較正モデルの性能をシミュレーションと実験の両方により評価した。シミュレーション結果は,高い信号対雑音比(SNR)で,約3545dBcの画像拒絶比(IRR)改善を示した。ADRV9009評価ボードの不整合データに基づいて,実験結果はマルチトーンと広帯域信号のIRR改良を約30dBcに示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (1件):
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無線通信一般 
引用文献 (36件):
  • Meshram, S.; Kolhare, N. The advent software defined radio: FM receiver with RTL SDR and GNU radio. In Proceedings of the 2019 International Conference on Smart Systems and Inventive Technology (ICSSIT), Tirunelveli, India, 27 November 2019; pp. 230-235.
  • Wicaksono, A.; Mauludiyanto, A.; Hendrantoro, G. An HF digital communication system based on software-defined radio. In Proceedings of the 2020 International Conference on Smart Technology and Applications (ICoSTA), Surabaya, Indonesia, 20 February 2020; pp. 1-5.
  • Gao, Y.; Jiang, W. Wideband photonic RF transceiver with zero-if architecture. In Proceedings of the 2017 International Topical Meeting on Microwave Photonics (MWP), Beijing, China, 23-26 October 2017; pp. 1-4.
  • Mabrouk, K.; Huyart, B.; Neveux, G. 3-D aspect in the five-port technique for zero-IF receivers and a new blind calibration method. IEEE Trans. Microw. Theory Tech. 2008, 56, 1389-1396.
  • McLaurin, D.J. A highly reconfigurable 65nm CMOS RF-to-bits transceiver for full-band multicarrier TDD/FDD 2G/3G/4G/5G macro basestations. In Proceedings of the 2018 IEEE International Solid-State Circuits Conference-(ISSCC), San Francisco, CA, USA, 11-15 February 2018; pp. 162-164.
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