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J-GLOBAL ID：202102249729487091   整理番号：21A0834700

各種の雰囲気中でのドライエッチングにより生じる銅化合物の同定と簡単な溶液処理による除去

Identification of Copper compound produced in dry etching process under different atmosphere and its removal via a simple solution treatment

著者 (12件)： ZHOU Zhi-chao (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  XIA Hui (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  LONG Fen (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  TAN Zhi-wei (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  HU Xiao-bo (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  WEI Xian-wang (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  ZHANG Wei-wei (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  CHEN Jian-hong (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  SHI Long-qiang ,  LI Shan (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  CHEN Shuzhi (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN) ,  LI Jiayu (Shenzhen China Star Optoelectronics Technol. Co., Ltd, Guangdong, CHN)
資料名： Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM)  (Proceedings of the International Display Workshops (CD-ROM))
巻： 24th  ページ： ROMBUNNO.FMC5-3  発行年： 2017年12月05日 
JST資料番号： L4269B  ISSN： 1883-2504  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： ・ICなどで良く用いられる銅導電線の各種ガス中でのプラズマの影響を調査。
・銅表面はドライエッチングによって容易に化合物を生成するかイオン衝撃によって破壊されるかの影響を受け,特にCl₂を含むガスの影響が大。
・新しく生じた物質の除去にはシュウ酸のディッピングが有効であることを確認。

シソーラス用語： 集積回路 ,  *金属線 ,  *劣化 ,  プラズマ ,  ドライエッチング ,  銅化合物 ,  イオン衝突 ,  塩素化合物 ,  浸漬 ,  *除去 ,  脂肪族カルボン酸 ,  ジカルボン酸
準シソーラス用語： *銅線 ,  *表面劣化

分類 (2件)： 固体デバイス計測・試験・信頼性  (NC03040G) ,  導体材料  (NA04020L)

物質索引 (1件)： シュウ酸

引用文献 (5件)：

• Kwon, Myoung Seok. ′′Reaction Mechanism of Low-Temperature Cu Dry Etching Using an Inductively Coupled Cl2/N2 Plasma with Ultraviolet Light Irradiation.′′ Journal of the Electrochemical Society 146.8(1999):3119-3123.
• Coolbaugh, D. D, et al. ′′Surface reactions of copper films in O₂/CF₄/N₂ plasmas.′′ Surface & Interface Analysis 15.2(1990):119-125.
• Cho, Yong Soo, et al. ′′Method of fabricating fringe field switching liquid crystal display device.′′ (2014).
• Bossler, Mark A, et al. ′′Methods of selectively removing a substrate material.′′ (2015).
• Yue, Kuo, and S. Lee. ′′Room-temperature copper etching based on a plasma-copper reaction.′′ Applied Physics Letters 78.7(2001):1002-1004.

タイトルに関連する用語 (5件)： 雰囲気 ,  ドライエッチング ,  銅化合物 ,  同定 ,  溶液処理