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J-GLOBAL ID：202102249752173215   整理番号：21A0274843

P型Schottky接触を持つ新しい高性能6500V IGBT【JST・京大機械翻訳】

A Novel High Performance 6500V IGBT with P-type Schottky Contact

著者 (6件)： Jin Rui (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission, Technology Global Energy Interconnection Research Institute Co. Ltd. Beijing China) ,  Wang Yaohua (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission, Technology Global Energy Interconnection Research Institute Co. Ltd. Beijing China) ,  Gao Mingchao (State Key Laboratory of Advanced Power Transmission, Technology Global Energy Interconnection Research Institute Co. Ltd. Beijing China) ,  Zhu Rongrong (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu China) ,  Zhang Jinping (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu China) ,  Zhang Bo (State Key Laboratory of Electronic Thin Films and Integrated Devices, University of Electronic Science and Technology of China, Chengdu China)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： RICAI 2020  ページ： 455-459  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本論文では,p型schottky接触(PSC-IGBT)を有する新しい高性能6500V平面ゲート絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)を提案した。提案したPSC-IGBTは,p-ベースとエミッタ金属の間のp型schottky接触を特徴とする。p型schottky接触はp-塩基領域の準フェルミポテンシャルを改善し,p-塩基とエミッタ電極間の正孔障壁を形成する。したがって,強化されたコンダクタンス変調がn-ドリフト領域で得られ,デバイス性能を著しく改善する。シミュレーション結果は,ブレークダウン電圧(BV)の劣化なしで,50A/cm2のコレクタ電流密度におけるフォワードオン状態電圧降下(Vceon)が,従来の平面ゲートIGBT(Con-IGBT)の3.72Vから提案したPSC-IGBTの3.40Vまで減少することを示した。一方,3.25Vの同じVceonにおいて,ターンオフ損失(Eoff)は,Con-IGBTの163.12mJ/cm2から,提案したPSC-IGBTの125.73mJ/cm2に減少した。Con-IGBTと比較して,提案したPSC-IGBTのEoffは22.9%減少した。提案したPSC-IGBTはデバイスのフォワード伝導特性を改善するだけでなく,VceonとEoffの間のトレードオフ関係も改善する。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： シミュレーション ,  正孔 ,  ドリフト ,  *IGBT ,  ターンオフ ,  コンダクタンス ,  電圧降下
準シソーラス用語： 絶縁破壊電圧 ,  オン状態 ,  コレクタ電流 ,  Schottky接触 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： Vceon ,  平面ゲート ,  Schottky接触 ,  トレードオフ

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (3件)： Schottky接触 ,  高性能 ,  IGBT