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J-GLOBAL ID:202102249826355914   整理番号:21A0168531

SrCoO_2.5薄膜における負の電荷移動エネルギー O-2p正孔密度,電荷移動エネルギー,電荷不均化および強磁性秩序間の相互作用【JST・京大機械翻訳】

Negative Charge-Transfer Energy in SrCoO2.5 Thin Films: An Interplay between O-2p Hole Density, Charge-Transfer Energy, Charge Disproportionation, and Ferromagnetic Ordering
著者 (6件):
資料名:
巻:号: 12  ページ: 3859-3870  発行年: 2020年 
JST資料番号: W5669A  ISSN: 2637-6113  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: アメリカ合衆国 (USA)  言語: 英語 (EN)
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SrCoO_2_.5(SCO)バルクは,電荷移動エネルギー(Δ)と3d6基底状態の正の値を有する電荷移動絶縁体であり,従来のCo3+-O-Co3+超交換相互作用を通して反強磁性的性質を達成した。しかし,エピタキシャルSCO薄膜では,共鳴光電子放出分光法とX線吸収分光法の助けにより,基板誘起歪がSCO膜の基底状態を3d7L(L:O-2p正孔)に修飾し,Δの負の値を引き起こすことを観測した。負のΔSCO膜におけるO-2p正孔の存在は,強いO2p-Co3dハイブリダイゼーションのために生じ,系中で電荷不均化(CD)を誘起する。その結果,Co3+-O-Co3+超交換相互作用が修正され,SCO膜中に正孔媒介非在来型強磁性(またはフェリ磁性)秩序化が観測された。磁気モーメントは,格子誘起歪によって制御されるΔとCDの値に依存することを見出した。これはSCO膜の歪依存価電子帯と伝導バンドスペクトルから明らかになった。負のΔとCDのため,付加的なスペクトル特徴が膜のCo L端に現れ,そのバルク対応物には存在しなかった。そのような特徴のエネルギー位置と強度は膜厚と共に変化し,Δ(およびCD)の修正における歪の役割が発散する。薄膜中のバルクから負のΔ領域への正のΔ領域からのSCOの同調は,巨大な技術的ポテンシャル応用を有する歪工学を介して,電子構造vis-a-vis磁気特性を調節する機会を提供する。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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コバルトとニッケルの錯体  ,  X線スペクトル一般 

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