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J-GLOBAL ID：202102249961541261   整理番号：21A1228842

ナノスケールGAA-TFETにおける劣化関連エージング効果を研究するためのANFISベース計算【JST・京大機械翻訳】

An ANFIS-based Computation to Study the Degradation-related Ageing effects in Nanoscale GAA-TFETs

著者 (3件)： Bentrcia Toufik (Department of Physics, University of Batna 1, Batna, Algeria) ,  Djeffal Faycal (Advanced Electronics Laboratory (LEA), Department of Electronics, Batna, Algeria) ,  Ferhati Hichem (LEA, Department of Electronics, Batna, Algeria)
資料名： ACM Proceedings  (ACM Proceedings)
号： ICIST ’20  ページ： 1-5  発行年： 2020年 
JST資料番号： D0698C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： トンネル電界効果トランジスタ(TFET)に関連した劣化局面は,更なる開発を必要とする活発な研究領域になった。本研究では,適応ニューロファジー推論システム(ANFIS)に基づく新しい計算方法論を提案し,界面トラップ効果を含むゲート全アラウンド(GAA)TFETデバイスのスイッチング能力を予測した。従って,電流比(Ion/Ioff)比およびスイング因子(S)を含むいくつかの性能基準を考慮して,デバイス劣化現象を解析した。ATLAS2-D数値シミュレータを,ニューロファジィシステムの訓練データセットの精緻化のために利用した。得られた結果に基づいて,提案した手法は,エージング効果を含むGAA-TFETに基づくナノ電子回路の性能を正確に予測するための新しい経路を提供できる。Please refer to this article’s citation page on the publisher website for specific rights information. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： スイッチング ,  電流 ,  シミュレータ ,  電子回路 ,  計算理論 ,  *ファジィニューラルネットワーク
準シソーラス用語： 訓練データ ,  *ナノスケール ,  界面トラップ ,  TCAD ,  *トンネル電界効果トランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： AINFIS ,  老化劣化 ,  ナノスケール ,  数値 ,  TCAD ,  TFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： ナノスケール ,  TFET ,  エージング ,  研究 ,  ANFIS ,  計算