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J-GLOBAL ID：202102250146055701   整理番号：21A0046910

キャリア選択的接触に基づくN型結晶シリコン電池の不動態化特性研究【JST・京大機械翻訳】

Passivation Characteristics of N-Type Crystal Silicon Cell Based on Carrier Selective Contact

著者 (7件)： Zhang Tianjie (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Liu Dawei (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Ni Yufeng (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Yang Lu (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Wei Kaifeng (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Song Zhicheng (国家電投集団西安太陽能電力有限公司,西安 710100) ,  Lin Tao (西安理工大学電子工程系,西安 710048)
資料名： Rengong Jingti Xuebao  (Rengong Jingti Xuebao)
巻： 49  号： 9  ページ： 1631-1635,1645  発行年： 2020年 
JST資料番号： W0398A  ISSN： 1000-985X  CODEN： RJXUEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 中国 (CHN)  言語： 中国語 (ZH)

抄録/ポイント： キャリア選択接触構造のN型結晶シリコン電池の不動態化特性を研究するために、本文は特別の材料構造を設計した。アニーリング後,堆積SiNx:H薄膜と焼結後,異なるドーピング濃度分布をもつ材料の構造を,比較し,そして,その不動態化機構を,解析した。研究結果は,開回路電圧がドーピング濃度分布に非常に敏感であることを示した。ドーピング濃度分布がシリコンマトリックスに侵入する”浸透”深さが増すにつれ、対応するアニーリング後、SiNx;H薄膜堆積後および焼結後,開回路電圧は,最初に増加して,次に減少し,そして,SiNxは,堆積した。H薄膜の後,開回路電圧の増加幅は,徐々に減少し,一方,焼結後,開回路電圧は,異なる振幅で減少し,そして,開回路電圧は,徐々に減少した。適切なドーピングプロセスにより,焼結後の平均開回路電圧は738mVに達した。Data from Wanfang. Translated by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 焼結 ,  焼なまし ,  浸透 ,  *電池 ,  薄膜 ,  *ケイ素 ,  *不動態化 ,  濃度分布 ,  ドーピング
準シソーラス用語： 開回路電圧 ,  *結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： キャリア ,  結晶シリコン ,  電池 ,  不動態化 ,  研究