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J-GLOBAL ID：202102250153907312   整理番号：21A0382233

エピタキシャルグラフェン上のGaNのRF-MBE成長と配向制御【JST・京大機械翻訳】

RF-MBE growth and orientation control of GaN on epitaxial graphene

著者 (7件)： Bhuiyan Ashraful G. (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Bunkyo 3-9-1, Fukui 910-8507, Japan) ,  Bhuiyan Ashraful G. (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Kamada Yuta (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Bunkyo 3-9-1, Fukui 910-8507, Japan) ,  Islam Md. Sherajul (Department of Electrical and Electronic Engineering, Khulna University of Engineering & Technology, Khulna 9203, Bangladesh) ,  Syamoto Riku (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Bunkyo 3-9-1, Fukui 910-8507, Japan) ,  Ishimaru Daiki (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Bunkyo 3-9-1, Fukui 910-8507, Japan) ,  Hashimoto Akihiro (Graduate School of Engineering, University of Fukui, Bunkyo 3-9-1, Fukui 910-8507, Japan)
資料名： Results in Physics  (Results in Physics)
巻： 20  ページ： Null  発行年： 2021年 
JST資料番号： W3368A  ISSN： 2211-3797  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNは,多くの潜在的用途を有する最も重要な現代半導体として証明されている。GaN成長は十分成熟するが,残念なことに,Si結晶と同じ品質を有するこの材料を,ヘテロエピタクシーまたはホモエピタクシーのいずれかで得るのは,まだ非常に難しい。GaNは二次元(2D)層状材料上に成長するために最近提案された。本論文は,RF-MBEによるエピタキシャルグラフェン(EG)上のGaNのvan der Waalsエピタキシー(vdWE)と配向制御を報告する。EG上に滑らかな表面を有する単結晶GaNが首尾よく得られた。EG表面へのAlN中間層の導入は,EG上のGaNを著しく改善することが分かった。AlN/EG構造は窒化物成長層のa軸配向を制御し,エピタキシャル層品質を改善した。AlN/EG構造上に作製したGaN層は界面応力からもフリーであることが分かった。AlN/EG構造で得られたGaN層の品質はサファイア基板上のGaN層に匹敵する。本研究は,EG上の高品質GaNの膨張の道を開く。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： エピタクシー ,  単結晶 ,  半導体 ,  窒化物 ,  二次元 ,  窒化アルミニウム ,  *窒化ガリウム ,  ヘテロエピタクシー ,  ホモエピタクシー
準シソーラス用語： 界面応力 ,  *配向制御 ,  サファイア基板 ,  高品質 ,  エピタキシャル層 ,  結晶シリコン , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： GaN ,  エピタキシャルグラフェン ,  RF-MBE ,  AlN中間層 ,  AFM ,  Raman

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャルグラフェン ,  GaN ,  RF-MBE ,  成長 ,  配向制御