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J-GLOBAL ID：202102250446116756   整理番号：21A0577599

メッシュP接触による深紫外GaN発光ダイオードにおける光抽出の改善【JST・京大機械翻訳】

Improvement of Light Extraction in Deep Ultraviolet GaN Light Emitting Diodes with Mesh P-Contacts

著者 (4件)： Kuo Shiou-Yi ,  Chang Chia-Jui ,  Huang Zhen-Ting ,  Lu Tien-Chang
資料名： Applied Sciences (Web)  (Applied Sciences (Web))
巻： 10  号： 17  ページ： 5783  発行年： 2020年 
JST資料番号： U7135A  ISSN： 2076-3417  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： スイス (CHE)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： GaNベースの発光ダイオード(LED)の発光効率が300nmより短い発光波長が低光抽出効率(LEE)であるので,主要な理由の1つが著しく減少した。特に,深紫外(DUV)LEDでは,脱出円錐の外で伝搬し,半導体または基板層に反射する光は,活性層だけでなく,DUV波長の透明も反射もない狭いバンドギャップと電極を持つp型層によっても吸収される。本報告では,LEEを改良するための反射層としてメッシュp-GaN/インジウム-スズ-酸化物(ITO)接触とTi/Al/Ni/Au層を有するDUV LED構造を提案した。メッシュp-GaN/ITO DUV LEDは,280nmでの光吸収が低いため,従来のDUV LEDより12%高い出力を示した。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *発光ダイオード ,  *発光 ,  半導体 ,  光吸収 ,  酸化物 ,  円錐 ,  波長 ,  *窒化ガリウム ,  活性層 ,  バンドギャップ
準シソーラス用語： *深紫外線 ,  発光効率 ,  光取出し効率 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： LED ,  DUV ,  LEE ,  ITO

分類 (1件)： 発光素子  (NC03082G)

引用文献 (33件)：

• Nakamura, S.; Senoh, M.; Mukai, T. High-Power InGaN/GaN double-heterostructure violet light emitting diodes. Appl. Phys. Lett. 1993, 62, 2390-2392.
• Chichibu, S.F.; Abare, A.C.; Minsky, M.S.; Keller, S.; Fleischer, S.B.; Bowers, J.E.; Hu, E.; Mishra, U.K.; Coldren, L.A.; DenBaars, S.P.; et al. Effective band gap inhomogeneity and piezoelectric field in InGaN/GaN multiquantum well structures. Appl. Phys. Lett. 1998, 73, 2006-2008.
• Simon, J.; Protasenko, V.; Lian, C.; Xing, H.; Jena, D. Polarization induced hole doping in wide-band-gap uniaxial semiconductor heterostructures. Science 2010, 327, 60-64.
• Goepfert, I.D.; Schubert, E.F.; Osinsky, A.; Norris, P.E.; Faleev, N.N. Experimental and theoretical study of acceptor activation and transport properties in p-type AlxGa1-x N/GaN superlattices. J. Appl. Phys. 2000, 88, 2030-2038.
• Lee, Y.; Hwang, J.; Hsu, T.; Hsieh, M.; Jou, M.; Lee, B.J.; Lu, T.-C.; Kuo, H.C.; Wang, S. GaN-Based LEDs with Al-deposited V-shaped sapphire facet mirror. IEEE Photonics Technol. Lett. 2006, 18, 724-726.

タイトルに関連する用語 (4件)： メッシュ ,  深紫外 ,  GaN ,  発光ダイオード