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J-GLOBAL ID：202102250632335658   整理番号：21A0182038

単結晶ダイヤモンド表面上のレーザ誘起リンドープ導電性層形成【JST・京大機械翻訳】

Laser-Induced Phosphorus-Doped Conductive Layer Formation on Single-Crystal Diamond Surfaces

著者 (9件)： Abubakr Eslam (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Abubakr Eslam (Department of Electrical Engineering, Faculty of Engineering, Aswan University, Egypt) ,  Zkria Abdelrahman (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Zkria Abdelrahman (Department of Physics, Faculty of Science, Aswan University, Egypt) ,  Ohmagari Shinya (Advanced Power Electronics Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST), Japan) ,  Ohmagari Shinya (Sensing System Research Center, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, Saga, Japan) ,  Katamune Yuki (Department of Electrical and Electronic Engineering, Kyushu Institute of Technology, Fukuoka, Japan) ,  Ikenoue Hiroshi (Graduate School of Information Science and Electrical Engineering, Kyushu University, Fukuoka, Japan) ,  Yoshitake Tsuyoshi (Department of Applied Science for Electronics and Materials, Kyushu University, Fukuoka, Japan)
資料名： ACS Applied Materials & Interfaces  (ACS Applied Materials & Interfaces)
巻： 12  号： 51  ページ： 57619-57626  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2329A  ISSN： 1944-8244  CODEN： AAMICK  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： レーザ誘起ドーピング法を用いて,周囲温度と圧力条件で絶縁単結晶ダイヤモンドにリンを組み入れた。ナノ秒持続時間(20ns)のパルスレーザビームをリン酸液体に浸漬したダイヤモンド基板上に照射し,その表面に薄い導電層を形成した。照射表面以下の深さ40~50nmのリン取込を二次イオン質量分析(SIMS)により確認した。電気的に,照射領域は,室温でタングステンプローブヘッドでもオーム接触を示し,照射領域の電気抵抗率は元の表面に比べて大きく減少した。電気伝導率の温度依存性は,表面層が照射条件に依存して0.2eVと54meVの間の活性化エネルギーを有する半導体であることを意味する。レーザー処理後,ダイヤモンド以外の炭素や黒鉛相は見出されず(DとGのRamanピークはほとんど観察されない),リンの取り込みは,強化された伝導率の主な起源である。提案した技法は,特により小さなデバイスと浅い接合の電子技術ターゲティングで,精密でよく制御された方法で固体に不純物を導入する新しいex situドーピング法としてダイヤモンドに適用できることを実証した。Copyright 2021 American Chemical Society All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 活性化エネルギー ,  電気抵抗率 ,  電気伝導率 ,  半導体 ,  不純物 ,  *ダイヤモンド ,  タングステン ,  炭素 ,  *リン ,  グラファイト ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  ターゲティング
準シソーラス用語： *レーザ誘起 ,  *単結晶ダイアモンド , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： ダイヤモンド ,  レーザ加工 ,  電気伝導率 ,  表面 ,  Ohm接触

分類 (3件)： その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A) ,  固-固界面  (CB12060M) ,  炭素とその化合物  (YB02060D)

タイトルに関連する用語 (3件)： 単結晶ダイヤモンド ,  レーザ誘起 ,  導電性層