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J-GLOBAL ID：202102250723151166   整理番号：21A3135802

InP膜オンシリコンプラットフォーム上の110GHz単一走行キャリアフォトダイオードを越えて【JST・京大機械翻訳】

Beyond 110 GHz Uni-Traveling Carrier Photodiodes on an InP-Membrane-on-Silicon Platform

著者 (14件)： de Graaf Jasper (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Zhao Xinran (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Konstantinou Dimitrios (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Hout Menno van den (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Reniers Sander (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Shen Longfei (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  van der Heide Sjoerd (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Rommel Simon (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Monroy Idelfonso Tafur (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Okonkwo Chigo (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Cao Zizheng (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Koonen Ton (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Williams Kevin (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands) ,  Jiao Yuqing (Institute of Photonic Integration (IPI), Eindhoven University of Technology, Eindhoven, MB, The Netherlands)
資料名： IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics  (IEEE Journal of Selected Topics in Quantum Electronics)
巻： 28  号： 2  ページ： ROMBUNNO.3802010.1-10  発行年： 2022年 
JST資料番号： W0734A  ISSN： 1077-260X  CODEN： IJSQEN  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,110GHzを超える3dB帯域幅のInP膜オンシリコンプラットフォーム上に導波路集積単一移動キャリアフォトダイオードを実証した。設計最適化と改良プロセスを用いて,3×2μm2の小さいデバイスを成功裡に実現した。測定したSパラメータに基づく電気等価回路モデルは,ダイオードにおいて,それぞれ6.5Ωと4.4fFという低い直列抵抗と接合容量を明らかにした。モデルはまた,デバイスの帯域幅と共振性における光電流依存特性における洞察を提供する。最後に,UTC-PDの高速通信能力を示すデータ伝送測定を実証した。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 共振 ,  光電流 ,  *ダイオード ,  *リン化インジウム ,  伝送測定 ,  帯域幅 ,  導波路
準シソーラス用語： Sパラメータ ,  直列抵抗 ,  接合容量 ,  *UTC-PD ,  設計最適化 ,  高速通信 ,  等価回路モデル , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 光集積回路,集積光学  (BD06050D) ,  その他の光伝送素子  (BD06040S)

タイトルに関連する用語 (2件)： InP ,  単一走行キャリアフォトダイオード