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J-GLOBAL ID：202102251048457551   整理番号：21A3410289

Cu_2-xS薄膜の電子構造と特性:相構造と自由正孔濃度の依存性【JST・京大機械翻訳】

Electronic structure and properties of Cu_2-xS thin films: Dependence of phase structures and free-hole concentrations

著者 (6件)： Li Zhan Hua (Research Center for Advanced Optics and Photoelectronics, Department of Physics, College of Science, Shantou University, Shantou, Guangdong 515063, China) ,  Egbo Kingsley O. (Department of Physics, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Ave., Kowloon, Hong Kong) ,  Lv Xiao Hu (Research Center for Advanced Optics and Photoelectronics, Department of Physics, College of Science, Shantou University, Shantou, Guangdong 515063, China) ,  Wang Ying (Department of Physics, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Ave., Kowloon, Hong Kong) ,  Yu Kin Man (Department of Physics, City University of Hong Kong, 83 Tat Chee Ave., Kowloon, Hong Kong) ,  Liu Chao Ping (Research Center for Advanced Optics and Photoelectronics, Department of Physics, College of Science, Shantou University, Shantou, Guangdong 515063, China)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 572  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： Cu_2-xSは,近年,幅広いオプトエレクトロニクスデバイスで有望な応用のため,ますます注目を集めている。しかし,種々のCu化学量論を有するCu_2-xSの相構造と電子構造は驚くほど複雑で,これらの側面に関するコンセンサスはまだ不足している。本研究では,異なる相構造と広い範囲の自由正孔濃度N_Hall(1019~1022cm-3)を有するp型多結晶Cu_2-xS薄膜をCu化学量論を制御して成長させた。Cu_2-xS薄膜の電子構造と光電気特性の相関を,それらの相構造とN_Hallと総合的に研究した。異なる相構造を有するCu_2-xSのN_Hallの増加とともに,i)正孔移動度μは~6から~1cm2V-1s-1に減少することが観察された。ii)プラズマエネルギーE_pは~0.3から1.2eVに増加した。iii)高周波誘電定数ε_∞は,約10から2.5まで直線的に減少する。iv)正孔有効質量mh*は~0.25から3.7m_0に増加した。v)直接光学バンドギャップEGOptsは,約1.9から~2.45eVに増大した。また,これらの結果は,これらのCu_2-xS薄膜の表面Fermi準位が,表面酸化および/または表面欠陥の存在により,対応する価電子帯最大値上に位置することを明らかにした。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *正孔 ,  *電子構造 ,  *薄膜 ,  誘電率 ,  *銅 ,  Fermi準位 ,  多結晶 ,  化学量論 ,  電気特性 ,  オプトエレクトロニクス ,  価電子バンド ,  有効質量 ,  光学ギャップ
準シソーラス用語： 正孔移動度 ,  *正孔濃度 , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (4件)： 硫化銅 ,  相構造 ,  電子構造 ,  オプトエレクトロニクス特性

分類 (2件)： 半導体薄膜  (BK14040E) ,  太陽電池  (NC03084O)

タイトルに関連する用語 (5件)： 薄膜 ,  電子構造 ,  相構造 ,  正孔濃度 ,  依存性