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J-GLOBAL ID：202102251132160701   整理番号：21A0361849

反応性力場分子動力学法計算および量子化学計算を活用したCVD/ALD薄膜堆積機構の解析

Analysis of CVD/ALD thin film deposition mechanism by reactive molecular dynamics simulation and quantum chemical calculation

著者 (7件)： 徳増崇 (東北大 流体科研) ,  上根直也 (東北大 流体科研) ,  上根直也 (東北大) ,  馬渕拓哉 (東北大 流体科研) ,  馬渕拓哉 (東北大 学際科学フロンティア研) ,  財津優 (ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ) ,  安原重雄 (ジャパン・アドバンスト・ケミカルズ)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 120  号： 239(SDM2020 22-34)  ページ： 41-46 (WEB ONLY)  発行年： 2020年11月12日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： CVD法およびALD法における成膜プロセスの最適化に向けて,原子レベルでの表面反応機構および薄膜堆積機構を反応性力場分子動力学(ReaxFF MD)法と密度汎関数(DFT)法を活用して動的あるいは静的に解明した結果の一部について概説する.(著者抄録)

シソーラス用語： *化学蒸着 ,  単原子層 ,  *分子動力学 ,  プログラムパッケージ ,  力の場 ,  結合次数 ,  *密度汎関数法 ,  計算 ,  *薄膜成長 ,  最適化 ,  表面反応
準シソーラス用語： 化学気相堆積 ,  原子層堆積 ,  *反応性力場分子動力学法 ,  ReaxFF ,  *量子化学計算 ,  ALD【蒸着】 ,  薄膜蒸着 ,  プロセス最適化

分類 (1件)： 半導体薄膜  (BK14040E)

引用文献 (3件)：

• S. Nunomura, “Science and Technology of Plasma-Enhanced Chemical Vapor Deposition for HighEfficiency Silicon Solar Cells,” J. Plasma Fusion Res., vol.91, no. 5, pp. 314-316, 2015.
• G. Psofogiannakis and A. C. T. Van Duin, “Development of a ReaxFF reactive force field for Si/Ge/H systems and application to atomic hydrogen bombardment of Si, Ge, and SiGe (100) surfaces,” Surf. Sci., vol. 646, pp.253-260, 2016.
• L. W. Veldhuizen, C. H. M. Van Der Werf, Y. Kuang, N. J. Bakker, S. J. Yun, and R. E. I. Schropp, “Optimization of hydrogenated amorphous silicon germanium thin films and solar cells deposited by hot wire chemical vapor deposition,” Thin Solid Films, vol. 595, pp.226-230, 2015.

タイトルに関連する用語 (11件)： 反応性 ,  力場 ,  分子動力学法 ,  計算 ,  量子化学計算 ,  活用 ,  CVD ,  ALD ,  薄膜 ,  堆積 ,  解析