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J-GLOBAL ID:202102251367915470   整理番号:21A0576986

グラフェン-銀ナノワイヤ界面における歪とドーピングに及ぼす配置効果【JST・京大機械翻訳】

Configurational Effects on Strain and Doping at Graphene-Silver Nanowire Interfaces
著者 (4件):
資料名:
巻: 10  号: 15  ページ: 5157  発行年: 2020年 
JST資料番号: U7135A  ISSN: 2076-3417  資料種別: 逐次刊行物 (A)
記事区分: 原著論文  発行国: スイス (CHE)  言語: 英語 (EN)
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グラフェンは基板に依存する物理的および電子的特性を示す。ここでは,物理歪とドーピングの観点から単層グラフェンと銀ナノワイヤ(AgNW)間の相互作用を示した。55nmのAgNWsの分離における単層グラフェン/AgNWのスナップスルー事象を,ナノワイヤ上に懸濁したグラフェンを越えて観察した。原子間力顕微鏡(AFM)チップ先端と懸濁グラフェンの間の接着力は,1.8nNの一致値より高いと測定された。AgNWの存在はグラフェンのFermiエネルギー準位を調節し,仕事関数を0.25eV減少させ,n型ドーピングをもたらした。その結果,横方向p-n-p接合が単一AgNWで形成された。G-2Dモード間の相関Ramanプロットは,AgNW周辺の曲率による0.05%のグラフェン中の歪の増加と,AgNWがグラフェンの上にあるとき0.01%であることを明らかにした。これらの結果は,AgNWからの物理的および電子的影響の検査において本質的な情報を提供する。Copyright 2021 The Author(s) All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】
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分類 (2件):
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電気物性一般  ,  炭素とその化合物 
引用文献 (25件):
  • Bonaccorso, F.; Sun, Z.; Hasan, T.; Ferrari, A.C. Graphene photonics and optoelectronics. Nat. Photonics 2010, 4, 611.
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  • Xu, G.; Liu, J.; Wang, Q.; Hui, R.; Chen, Z.; Maroni, V.A.; Wu, J. Graphene: Plasmonic Graphene Transparent Conductors (Adv. Mater. 10/2012). Adv. Mater. 2012, 24, OP70.
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