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J-GLOBAL ID：202102251520304053   整理番号：21A3312695

良く秩序化したピラミッド型Pt/Auナノ構造を埋め込んだNiFe_2O_4膜の高均一抵抗スイッチング特性【JST・京大機械翻訳】

Highly uniform resistive switching properties of NiFe₂O₄ films by embedding well-ordered pyramid-shaped Pt/Au nanostructures

著者 (5件)： Li Jiacheng (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Yao Chuangye (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Huang Wenhua (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Qin Ni (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China) ,  Bao Dinghua (State Key Laboratory of Optoelectronic Materials and Technologies, School of Materials Science and Engineering, Sun Yat-Sen University, Guangzhou 510275, China)
資料名： Journal of Alloys and Compounds  (Journal of Alloys and Compounds)
巻： 890  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： D0083A  ISSN： 0925-8388  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： スイッチング不安定性は抵抗ランダムアクセスメモリの開発に大きく影響する。Pt/NiFe_2O_4/Ptデバイス中に良く秩序化したPt/Auナノ構造(NSs)を埋め込むことにより,抵抗スイッチングの均一性が向上した。堆積テンプレートとして2Dコロイド結晶を用いてPt/Ti/SiO_2/Si基板上によく秩序化したPt/Au NSアレイを開発した。次に,NiFe_2O_4(NFO)薄膜をスピンコーティング法によりPt/Au NSアレイ上に堆積し,続いてアニーリング処理を行った。メモリデバイスを,NFO膜表面上のPtトップ電極スパッタリングにより作製した。埋込みデバイスは,非埋め込みデバイスよりも,より均一なSETおよびRESET電圧および低い成形電圧を示した。Pt/Au NSの周りの電場と温度勾配の歪みは導電性フィラメント(CF)のランダム発達を抑制した。さらに,Au NSs近くの温度勾配は,Auが高い熱伝導率を持ち,酸素空孔移動を促進するので,Pt NSsよりも成形過程で比較的高かった。したがって,CFsはHRS中で容易に核形成し,同じバイアス電圧の下でAu NSs近くで発達し,Pt NSアレイデバイスよりもAu NSアレイデバイスでより良い抵抗スイッチング特性をもたらす。本研究はデバイスの抵抗スイッチング性能を高めるための効果的な経路を提供した。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 核形成 ,  記憶装置 ,  焼なまし ,  電圧 ,  電場 ,  薄膜 ,  *金 ,  *白金 ,  二次元 ,  *ナノ構造 ,  スピンコーティング
準シソーラス用語： バイアス電圧 ,  *抵抗スイッチング ,  酸素空格子点 ,  ReRAM , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (5件)： 抵抗スイッチング ,  NiFe_2O_4 ,  高次ナノ構造アレイ ,  導電性フィラメント ,  酸素空孔

分類 (2件)： 固体デバイス材料  (NC03020K) ,  その他の無機化合物の電気伝導  (BM03044O)

タイトルに関連する用語 (6件)： 秩序化 ,  ピラミッド ,  Pt ,  Au ,  ナノ構造 ,  スイッチング特性