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J-GLOBAL ID：202102251600650554   整理番号：21A0233831

シリコンヘテロ接合太陽電池性能に対する基板抵抗率,欠陥および温度の影響【JST・京大機械翻訳】

Effect of Substrate Resistivity, Defects and Temperature on Silicon Heterojunction Solar Cells Performance

著者 (4件)： Srinivasa Apoorva (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University,Tempe,Arizona,USA) ,  King Richard (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University,Tempe,Arizona,USA) ,  Bowden Stuart (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University,Tempe,Arizona,USA) ,  Augusto Andre (School of Electrical, Computer and Energy Engineering, Arizona State University,Tempe,Arizona,USA)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2020  号： PVSC  ページ： 2171-2174  発行年： 2020年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本研究では,バルク抵抗,欠陥および動作温度が太陽電池性能にどのように影響するかを理解するための包括的な研究を示した。シミュレーションは,高い注入で動作した高いバルク抵抗を有する基板から優れた表面不動態化の利点を有する太陽電池を示した。同じ欠陥タイプと欠陥濃度に対して,より高いバルク抵抗率を有するウエハに対してより高い寿命を達成した。1から>15kΩcmのバルク抵抗率を有する基板上にシリコンヘテロ接合寿命試料を作製し,異なる動作温度での寿命と暗示パラメータの挙動を調べた。有効寿命は,全てのバルク抵抗率範囲でウエハに対して温度と共に増加する。温度係数はバルク抵抗に依存しないことが示され,測定値は標準バルク抵抗(2×√3Ωcm)ウエハに対して作製したシリコンヘテロ接合について以前に報告された値の範囲である。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： *ヘテロ接合 ,  *太陽電池 ,  *電気抵抗率 ,  *ケイ素 ,  温度係数 ,  耐用年数
準シソーラス用語： 表面不動態化 ,  *ヘテロ接合太陽電池 ,  動作温度 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I)

タイトルに関連する用語 (4件)： シリコン ,  ヘテロ接合太陽電池 ,  抵抗率 ,  欠陥