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J-GLOBAL ID：202102251740007440   整理番号：21A3410244

結晶配向に対するZrO_2成長の依存性:成長シミュレーションとマグネトロンスパッタリング【JST・京大機械翻訳】

Dependence of the ZrO₂ growth on the crystal orientation: growth simulations and magnetron sputtering

著者 (3件)： Houska Jiri (Department of Physics and NTIS - European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, Plzen 306 14, Czech Republic) ,  Rezek Jiri (Department of Physics and NTIS - European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, Plzen 306 14, Czech Republic) ,  Cerstvy Radomir (Department of Physics and NTIS - European Centre of Excellence, University of West Bohemia, Univerzitni 8, Plzen 306 14, Czech Republic)
資料名： Applied Surface Science  (Applied Surface Science)
巻： 572  ページ： Null  発行年： 2022年 
JST資料番号： B0707B  ISSN： 0169-4332  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： オランダ (NLD)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 結晶ZrO_2の成長を,原子ごとの成長シミュレーション,高出力インパルスマグネトロンスパッタリングおよび従来のパルスマグネトロンスパッタリングの組合せアプローチによって研究した。種々の元素の到達原子のエネルギーに焦点を当て,それが種々の方位のZrO_2結晶の成長にどのように影響するかを調べた。結果は,個々の方位の表面エネルギーと水平周期性のような量と相関している。シミュレーションは,高い表面エネルギーと短い水平周期によって特徴付けられた方位の成長,最初の場所の(001)が,原子を到着するより高いエネルギーを必要とし,エネルギーが軽いOより重いZrによってより効果的に供給されることを示した。実験から,このような配向の相対的優先性は基板バイアス電圧の増加とともに増加し,その後,バイアス電圧によって加速されるイオンの濃度が増加し,パルスバイアス電圧が重いZr+イオンの到着と同期することを確認した。結果は,種々の技術的応用に対する種々の配向の結晶性ZrO_2の調製に重要であり,それらの背後にある基本的理由は,他の結晶材料の成長にも関連する。Copyright 2021 Elsevier B.V., Amsterdam. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： イオン ,  結晶成長 ,  *シミュレーション ,  電圧 ,  表面エネルギー ,  *ジルコニウム ,  *結晶方位 ,  酸化ジルコニウム ,  結晶度 ,  パルス ,  分子動力学
準シソーラス用語： 周期性 ,  バイアス電圧 ,  基板バイアス , 【Automatic Indexing@JST】

著者キーワード (6件)： ジルコニア ,  結晶成長 ,  結晶配向 ,  イオン衝撃 ,  分子動力学 ,  HiPIMS

分類 (2件)： スパッタリング  (BK16110U) ,  その他の無機化合物の薄膜  (BK14060A)

タイトルに関連する用語 (5件)： 結晶配向 ,  成長 ,  依存性 ,  シミュレーション ,  マグネトロンスパッタリング