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J-GLOBAL ID：202102252192177616   整理番号：21A1477822

6ビットペルセル(HLC)およびそれ以上での新しいアプリケーションとビットコストスケーリングのための3Dフラッシュメモリの低温動作【JST・京大機械翻訳】

Cryogenic Operation of 3D Flash Memory for New Applications and Bit Cost Scaling with 6-Bit per Cell (HLC) and Beyond

著者 (9件)： Aiba Yuta (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Tanaka Hitomi (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Maeda Takashi (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Sawa Keiichi (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Kikushima Fumie (Memory Div., Kioxia Corporation) ,  Miura Masayuki (Memory Div., Kioxia Corporation) ,  Fujisawa Toshio (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Matsuo Mie (Institute of Memory Technology Research & Development) ,  Sanuki Tomoya (Institute of Memory Technology Research & Development)
資料名： IEEE Conference Proceedings  (IEEE Conference Proceedings)
巻： 2021  号： EDTM  ページ： 1-3  発行年： 2021年 
JST資料番号： W2441A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： アメリカ合衆国 (USA)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 本報告では,液体窒素中の77Kでの3Dフラッシュメモリの極低温操作と特性を紹介した。読取,プログラムおよび消去操作は,完全に機能的であった。読取雑音は77Kで著しく最小化され,サイクル耐久性は300Kに比べて10倍以上改善され,データ保持は大きく改善された。さらに,細胞当たり6ビット(HLC)の成功した実証を示した。3Dフラッシュメモリの極低温動作は,新しい応用に対するドアを開き,今後のビットコストスケーリングを可能にする将来の貯蔵デバイスに対する強力な候補になる。Copyright 2021 The Institute of Electrical and Electronics Engineers, Inc. All rights reserved. Translated from English into Japanese by JST.【JST・京大機械翻訳】

シソーラス用語： 雑音 ,  *低温 ,  液体窒素 ,  耐久性 ,  極低温 ,  *応用プログラム ,  *三次元 ,  *フラッシュメモリ
準シソーラス用語： データリテンション , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 図形・画像処理一般  (JE04010I) ,  医用画像処理  (JE04020T) ,  NMR一般  (BM07041R)

タイトルに関連する用語 (5件)： セル ,  アプリケーション ,  3D ,  フラッシュメモリ ,  低温